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삼성전자가 미국 텍사스 오스틴에 위치한 반도체 공장에 10억달러(약 1조1420억원)을 투자하기로 했다. 오스틴 공장은 시스템LSI 사업부의 한축을 담당하고 있으며 첨단 시스템온칩(SoC)이 가장 빨리 적용되는 곳 가운데 하나다. 14나노에서 10나노를 염두에 둔 투자로 풀이된다.

1일(현지시각) 삼성전자 미주법인은 SoC 제품 수요에 대응하기 위해 시스템LSI 생산을 늘린다고 밝혔다. 지난 1997년부터 가동되기 시작한 오스틴 공장은 20년 동안 160억달러(약 18조3600억원)이 투자됐다. 본격적인 투자와 공장 확대는 스마트폰이 대중화된 2010년 전후다.

애플 아이폰 등에 탑재된 ‘허밍버드’를 시작으로 애플리케이션프로세서(AP)에 브랜드 이름을 붙인 ‘엑시노스’가 등장하면서부터 300mm 웨이퍼 전환과 함께 램프업(생산량 확대)가 전면적으로 이뤄진 바 있다. 2012년 40억달러(약 4조5900억원)를 들여 생산라인을 확장했는데 당시에는 28나노가 주력이었다. 이후 2013년 20나노 및 14나노 핀펫 공정으로의 전환이 이뤄졌다.

투자금액 규모를 봤을 때 전면적으로 공정을 전환하기보다는 10나노 초기물량을 소화하기 위한 것으로 풀이된다. 퀄컴과 같은 미국 고객사를 겨냥했다고 봐야 한다. 따라서 스냅드래곤 820 이후 등장할 차세대 AP가 목표인 셈이다.

한편 삼성전자는 국내에서 10나노 SoC 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다. 10나노 1세대 공정은 기존 14나노 1세대 대비 성능은 27% 개선하고 전력소비량은 40% 절감했다. 10나노 1세대(10LPE) 공정 양산을 시작으로 성능을 향상시킨 2세대(10LPP) 공정을 2017년 양산 목표로 개발 중이다. 10나노 공정은 이머전(Immersion, 액침) 불화아르곤(ArF) 기술 노광 장비를 그대로 쓴다. 회로를 그려 넣는 패터닝만 세 번 연달아 하는 ‘트리플패터닝’으로 한계를 극복했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com



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