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삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현 윤부근 신종균)가 18일 ‘8GB HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램’ 양산 규모를 확대하며 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드 시장까지 공급을 본격 확대한다.

8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송속도(32GB/sec)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다. ‘초고집적 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 설계’와 ‘발열 제어 기술’ 등 850여건의 핵심 특허가 적용됐다.

특히 이 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조다. 각 칩에 5천개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 ‘TSV 접합볼’로 수직 연결한 초고집적 TSV 설계 기술이 적용됐다.

대용량의 정보를 처리 시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했다. 고속 동작 시 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 발열 제어 기술도 적용해 신뢰성을 높였다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 부사장은 “업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다”며 “향후 차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객과 사업 협력 체제를 강화해 나갈 것”이라고 전했다.

한편 삼성전자는 글로벌 IT 고객의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘려 프리미엄 D램 시장의 수요에 적극적으로 대응해 나갈 계획이다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr



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