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삼성전자는 28일 전자공시를 통해 중국 시안에 위치한 현지 생산법인인 삼성차이나세미컨덕터(Samsung China Semiconductor, SCS)에 낸드플래시 메모리 증설 투자를 추진중이라고 밝혔다.

삼성전자는 “향후 약 3년간 총 투자 예상금액은 70억달러이며 금일 경영위원회에서 이 중 자본금 23억달러에 대한 출자를 승인했다”고 설명했다.

시안 공장은 48단 3D 낸드플래시(V낸드)가 생산되고 있다. 이번 투자는 2단계 라인 확보 차원으로 2015년부터 계획된 중장기 계획의 일환이다. 시안 공장은 최대 3개 라인을 지을 수 있는 부지로 설계됐다. 1단계에서는 월 10만장을 처리할 수 있는 규모로 가동률을 초기 50% 수준에서 지난해 100%까지 끌어올렸다.

시안 공장의 1단계 설비투자(CAPEX)가 4조6400억원이었다는 점과 추가로 소요되는 공장 건설비용(1조5000억원 추정)을 더하면 6조원 이상의 투자가 예상됐었다. 70억달러는 한화로 7조8400억원 가량이니 당초보다 1조원 이상이 더 투입되는 셈이다. 2단계 투자는 바로 옆에 마련된 부지에서 이뤄진다.

관전 포인트는 생산 품목이다. 지난 2013년 시안 공장이 첫 가동됐을 당시만 하더라도 48단 V낸드는 최첨단 공정이 적용된 제품이었다. 업계에 64단, 72단 3D 낸드플래시가 선보인 상태라지만 여전히 주력 생산 품목 가운데 하나다.

따라서 시안 2기 투자에서는 적어도 64단, 혹은 그 이상의 최신 공정이 적용된 V낸드가 생산될 가능성이 높다. 무엇보다 낸드플래시 수요가 견조하고 웨스턴디지털(WD), SK하이닉스, 인텔, 마이크론이 적극적으로 증산에 나서고 있어서 물량으로 압도해야 할 필요성이 커졌다.

반도체 호황기에 필요한 적절한 설비투자 집행, 중국의 ‘반도체 굴기’로 인해 2020년부터 발생할 것으로 보이는 메모리 반도체 공급과잉의 불확실성 해소가 필요하다는 게 업계 전문가들의 공통된 의견이다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr



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