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삼성전자가 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI) 공정을 적용한 위탁생산(파운드리) 고객사 확대를 꾀하고 있다. 현재 28나노 공정에서 다음에는 18나노 공정으로의 전환도 이뤄질 전망이다.

NXP, 프리스케일, 르네사스 등에서 올해 말까지 40여개 제품이 테이프-아웃(Tape-Out)이 진행될 예정이다. 테이프-아웃은 칩 설계를 마치고 본격적인 생산을 위해 웨이퍼 팹(Fab)으로 포토마스크가 전달되기 직전의 상태를 말한다.

14일 업계에 따르면 삼성전자는 FD-SOI 공정을 적용한 제품을 연말까지 40여개로 확대하고 이미 무선(RF)까지 포함됐다. 내년에는 CMOS 이미지센서(CIS)까지 생산이 가능할 것으로 전해졌다. 지난 2016년 10여개 제품이 테이프-아웃 됐다는 점을 고려하면 불과 1년여 만에 제품이 3배 정도 늘어난 셈이다.

FD-SOI는 기존 CMOS 반도체와 비교해 동작하는 전압이 낮아 전력소비량에서 우위를 가지고 생산공정을 줄일 수 이어 원가절감에 유리하다. 파운드리는 애플리케이션프로세서(AP)와 같이 미세공정 차별화에만 몰두하는 것이 아니기 때문에 다품종 라인업 확대가 필수적이라는 점에서 의미가 있다.

최근 삼성전자는 FD-SOI에 스핀주입자화반전메모리(STT-M램) 적용도 성공했다. 내년부터 본격적인 판매에 들어가며 S램이 쓰인 디스플레이 타이밍컨트롤러(T-CON, 티콘)를 대체하는 개념이다. 더불어 유연성 확보를 위해 고객사에 충분한 설명과 함께 STT-M램이나 플래시 메모리 가운데 하나를 선택하게 했다. 양산에 대한 개런티도 제안해 알맞게 물량을 대지 못하면 그만큼의 피해를 보전해 주는 방식도 고려되고 있다.

삼성전자 내부적으로 가장 역점을 두는 분야는 사물인터넷(IoT)과 자동차다. 특히 자동차는 전장화가 가속화되면서 갈수록 반도체의 중요성이 커지고 있다. 일반적으로 100여개 정도의 마이크로컨트롤러유닛(MCU)이 적용되는데, 인공지능(AI)과 자율주행 혹은 반자율주행 기능의 접목으로 반도체의 성능은 높아지면서 원가절감이 그만큼 필수적이 됐다.

한 업계 관계자는 “삼성전자 내부적으로 임베디드 M램 테스트 칩을 고객사에게 성공적으로 전달하면서 장기적 사업 성장의 발판을 마련한 것으로 보고 있다”며 “파운드리 다양성 확보와 함께 18나노 FD-SOI 영업에 적극적으로 나설 것”이라고 전했다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr



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