- 양대 ‘차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터’ 개소

[디지털데일리 김재철기자] 전 세계적인 경제 위기를 거치면서 세계 메모리 업계를 재편한 우리 반도체 산업이 차세대 메모리 시장 선점을 목표로 업계·학계가 망라된 공동연구에 본격 돌입한다.

한양대학교(총장 김종량)는 26일 오전 10시, 임채민 지식경제부 차관을 비롯해 이병석 의원(민주당), 박영아 의원(한나라당), 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스 사장 등 산·학·연 관계자 150여명을 초청, ‘차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터’ 개소식을 가졌다.

차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터는 반도체 분야 최초의 국내 大-大 R&D 상생협력 사업으로, 올해 3월부터 지식경제부, 삼성전자, 하이닉스가 공동 출연해 만든 것이다.

앞으로 이 공동연구센터는 차세대 메모리 주력제품으로 유력한 STT-MRAM과 관련된 연구개발에 착수할 예정이다. STT-MRAM(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory)은 자성 재료의 전기적 저항 차이가 발생하는 현상을 정보 저장에 이용한 메모리다.

특히 이번 연구센터는 국내 최초, 세계에서는 두 번째로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 세계 1, 2위 메모리 기업(삼성전자, 하이닉스)의 전문 연구 인력이 상주해 공동으로 연구개발에 나선다는 점에서 의미가 크다고 하겠다.

차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터는 2009년부터 2012년까지 모두 240억원(정부 120억원, 민간 120억원)의 사업비로 한양대 퓨전기술센터(FTC) 안에 클린룸을 구축(576m2)하고, 300mm용 자성박막 증착기, 스퍼터, 어닐러, 측정기, CMP 등 8종의 장비를 갖춰 연구개발 작업을 하게 된다.

이번 행사에서 한양대 차세대메모리사업단장 박재근 교수는 “이 연구센터가 200mm(8인치) 팹을 활용한 일본의 STT-MRAM 기술과 격차를 줄이고, 세계 최초로 STT-MRAM을 개발함으로써 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45% 이상을 점유하는 한편, 메모리 세계 1위 기술 경쟁력을 기반으로 자성 박막 공정 장비 경쟁력도 확보하게 될 것”이라고 전망했다.

지경부 임채민 차관은 축사를 통해 차세대메모리연구센터가 산·학·연 공동연구 확대에 바람직한 모델이라고 치하하면서, “연구센터를 중심으로 미래 반도체 원천기술을 확보하고, 국제기술 표준을 주도하는 한편, 세계적인 공동연구 허브로 성장할 수 있도록 업계·학계 모든 관계자들이 각고의 노력을 경주해달라”고 당부했다.

한편, 우리나라는 세계 최고의 공정기술을 바탕으로 1993년 이후 메모리 세계 1위를 차지하고 있으나, 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있는 상황이다. 앞으로 차세대 메모리 원천기술을 확보하게 되면 글로벌 생산기지의 역할을 뛰어넘어 글로벌 R&D 중심기지로 도약할 수 있을 것으로 기대된다.

<김재철 기자>mykoreaone@ddaily.co.kr