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삼성전자가 이달부터 27나노 미세 공정을 적용한 32기가비트(Gb) 멀티레벨셀(Multi-Level Cell MLC) 낸드플래시를 양산한다고 19일 발표했습니다. 낸드플래시란 스마트폰과 MP3 등 휴대 디바이스에 주로 탑재되는 메모리 반도체를 뜻합니다. 세계적으로 화제가 되고 있는 애플 아이폰, 아이패드에도 삼성전자의 낸드플래시가 탑재된다는 뉴스는 이미 접해봤을겁니다.

삼성전자의 오늘 발표가 각 언론 매체를 통해 비중 있게 다뤄지는 이유는 ‘20나노대’의 미세 공정을 적용한 낸드플래시를 업계 최초로 양산하기 때문일 것입니다. 업계 최초는 세계 최초임을 뜻합니다. 경쟁사라고 할 수 있는 도시바(27나노 올 2분기 양산), IM플래시테크놀로지(25나노 오는 6월 양산), 하이닉스(26나노 올 3분기 양산)보다 빠른 것입니다.

미세 공정을 적용한 메모리 반도체를 개발한다는 것은 그만큼 기술력이 앞선다는 것을 뜻합니다. 예컨대 삼성전자가 27나노 공정의 낸드플래시를 개발했다는 것은 반도체 내부 회로의 선폭을 27나노로 줄였다는 의미입니다. 나노미터(nm)는 10억분의 1m를 뜻합니다. 머리카락 두께에서 8000~10만분의 1에 불과한 것이 바로 나노미터 단위라니 공정을 미세화하기가 어느 정도로 힘든 것인지 대충 생각해도 짐작이 갑니다.

공정을 미세화하면 이점이 많습니다. 반도체의 면적이 줄어들기 때문에 한 장의 웨이퍼(원판)에서 뽑아낼 수 있는 반도체의 개수가 늘어납니다. 이는 곧 생산성이 향상됨을 뜻합니다. 원가 측면에서 한 장의 웨이퍼에서 10개의 반도체 칩을 뽑아낼 수 있던 것을 공정 미세화를 통해 15개를 뽑아낼 수 있다는 얘기입니다. 매출과 이익 상승에 도움을 주겠지요.

그런데 오늘 발표에서 삼성전자는 27나노가 아닌 ‘20나노대’라는 표현을 썼습니다. 20나노대라 표현하여 정확히 몇 나노냐고 물어보니 “모른다, 알려줄 수 없다”는 답변이 돌아옵니다. 과거부터 10억분의 1m라는 초미세 공정을 논하면서 ‘나노대’라는 표현을 쓰는 것이 과연 합당한 것인지에 관한 논란이 있어왔습니다.

업계에선 1~2나노는 큰 차이가 없고 수율과 실제 해당 공정을 운용했을 때의 생산성 향상점 등을 봐야 한다는 설명이 우세하게 많습니다. 그러나 삼성전자가 굳이 30나노대, 20나노대라는 표현을 쓰는 이유를 ‘허세’라고 표현하는 이들도 있습니다. 양산 시점은 확실히 빠르긴 했으나 25나노, 26나노 공정으로 개발에 성공했다는 경쟁사들의 발표가 나와 있는 가운데 ‘27나노’라고 표현하면 세계 최초라는 의미가 퇴색된다는 것입니다.

삼성전자는 2008년 황의법칙을 폐기하면서 속도 경쟁에서 실속 중시로 전환했습니다. 27나노 낸드플래시의 개발은 이미 작년 하반기에 마쳤지만 발표를 미뤄뒀다 양산을 시작하며 터뜨린 것이죠. 어떤 법칙을 지키기 위해 의미 없이 개발과 양산 일정을 앞당기는 일은 하지 않겠다는 의미이기도 합니다. 그러나 정작 30나노대에 이어 20나노대라는 표현은 바뀌지가 않은 것입니다. 삼성전자를 따라서 하이닉스도 20나노대라는 표현을 사용하고 있습니다.

1위 삼성전자와 후발 업체들의 기술 격차는 좁혀지고 있습니다. 도시바의 추격은 특히 심상치가 않습니다. 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 지난해 4분기 도시바(40.2%)는 낸드플래시 부문에서 수량을 기준으로 삼성전자(36.5%)를 처음으로 앞질렀습니다. 올 1분기도 2% 가량 앞섰을 것이라는 전망이 나와 있습니다. 프리미엄급 제품 라인업을 구축한 삼성전자가 매출 기준으로는 아직도 부동의 1위지만 위기감이 조성되고 있답니다.

[한주엽기자 블로그=Consumer&Prosumer]