반도체

삼성전자, 中낸드 공장 초기 생산량 웨이퍼 7만매로 내년 첫 가동

한주엽 기자
[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 중국 산시성 시안시 고신기술산업 개발구에 건설할 예정인 낸드플래시 공장의 초기 생산 여력은 300mm 웨이퍼 투입 기준 월 7만매에 달할 전망이다. 삼성전자는 추후 시장 상황을 고려해 점진적 증설에 나선다는 계획을 세워뒀다.

4일 현지 보도에 따르면 중국 국가발전개혁위원회는 최근 국무원 동의를 거쳐 삼성 반도체 공장 건설 사업을 정식 비준했다. 비준안에 따르면, 공장이 들어설 부지는 약 11만2000평(38만m2) 규모로 삼성전자는 초기 23억달러를 투입한 뒤 향후 수년 간 단계적으로 총 70억달러를 투자한다.

회사는 1단계 투자를 통해 월 7만매(300mm 웨이퍼 투입 기준)의 낸드플래시를 생산할 수 있는 체제를 갖출 계획이다. 내년 하반기 양산을 목표로 잡고 있다. 중국 낸드플래시 공장에선 10~20나노급 공정이 적용된다. 삼성전자 관계자는 “기술 유출 우려를 잠재우기 위해 국내와 비교해 한 단계 뒤떨어진 미세 공정이 중국 공장에 적용될 것”이라고 말했다.

업계 관계자는 “삼성전자가 14라인 등 낸드플래시 라인을 시스템반도체 생산용으로 전환하고 있으므로 중국 공장이 가동되더라도 업계 전반적인 공급량 증가 추세는 제한적일 것”이라고 말했다.

중국 정부는 삼성전자가 현지에서 생산한 낸드플래시 판매를 통해 연간 600억위안(우리돈 10조7000억원)의 매출을 올릴 수 있을 것으로 내다봤다. 또 160여개의 삼성 반도체 협력업체가 입주해 직간접적으로 1만여명의 고용 창출이 발생할 것으로 전망했다.

시안시는 삼성전자의 투자를 유치하기 위해 고속도로에서 공장까지 이어지는 5.6km 길이의 ‘삼성전자 간선도로’를 건설해주고 공장 부지를 무료로 제공하는 등 파격적인 여러 조건을 내건 것으로 전해졌다. 삼성전자는 베이징과 충징, 시안 가운데 고민하다 여러 조건을 고려해 시안을 선택했다.

삼성전자 중국 낸드플래시 공장은 오는 12일 착공식을 가진다. 이날 착공식에는 권오현 삼성전자 대표(부회장) 등 핵심 경영진이 참석할 예정인 것으로 전해졌다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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