반도체

르네사스모바일, 차세대 LTE 통신칩 발표

디지털데일리 발행일 2013-02-15 14:07:56
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이수환 기자
[디지털데일리 이수환기자] 르네사스모바일(renesasmobile.com 대표 이쿠야 카와사키)는 15일 3세대(3G), 고속패킷접속(HSPA+), 롱텀에볼루션(LTE), 시분할연동코드분할다중접속(TD-SCDMA), LTE인터넷전화(VoLTE) 등을 지원하는 3세대 멀티 모드 베이스밴드(통신칩) ‘SP2532’를 선보였다고 밝혔다.

이 제품은 빠른 데이터 전송속도와 전력소비량을 낮춰 배터리 사용시간을 늘릴 수 있다. 카테고리4 LTE의 최고 성능인 150Mbits(초 당 전송하는 데이터 양) 다운로드, 50Mbits 업로드 속도를 내면서도 칩 크기를 기존 ‘SP2531’보다 45% 줄었다.

20MHz 대역폭에서 사용할 경우 Mbits당 1.8밀리암페어(mA)의 전력만을 사용하며 동급 통신칩과 비교해 45% 전력소비량이 낮다.

호환성도 강화됐다. 현재 상용화된 모든 애플리케이션 프로세서(AP)와 호환되며 스마트폰, 태블릿 등 스마트 기기를 LTE로 업그레이드 하거나 새로운 제품을 개발하는 시간을 줄여준다.

SP2532 통신칩은 RF 통합 칩, 프론트 엔드 모듈, 전원 증폭기 및 전원 관리 서브시스템을 포함하는 RF 서브시스템과 고 집적 베이스밴드 모뎀으로 구성되어 있다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr
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