[삼성전자컨콜] 화성 S3에 D램 투자 집중… 시스템LSI 14나노는 기존 라인 활용
[디지털데일리 한주엽기자] 이명진 삼성전자 IR 전무는 31일 개최된 2014년도 실적발표 컨퍼런스 콜을 통해 “올해는 작년 대비 메모리 반도체 투자가 증가할 것”이라며 “투자 증가분 대부분은 S3 라인의 D램쪽에 집중될 것”이라고 말했다.
두영수 삼성전자 시스템LSI 사업부 상무는 “시스템LSI 14나노 제품 생산은 신규 라인(S3)이 아닌 기존 캐파를 활용해 수익성 개선을 추진할 것”이라며 “14나노 제품은 올 연말 양산을 계획하고 있고 거래선 확보가 순조롭게 진행되고 있다”고 밝혔다.
반도체에 14조4000억원, 디스플레이에 4조9000억원을 투입한다. 반도체에선 첨단 공정 전환, 3D V낸드 인프라 투자 및 시스템LSI 첨단 공정 전환에 투자를 집중한다. 디스플레이는 유기발광다이오드(OLED) 기존 라인 보완 및 증설에 투자한다. 회사 측은 “부품 사업 중심의 기술 리더십 강화를 통한 사업 역량을 제고하기 위해 이 같은 투자 계획을 결정했다”고 밝혔다.
<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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