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SK하이닉스가 2세대 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM) 양산채비를 마쳤다. 하반기 내로 공급이 가능할 전망이며 시기가 다소 앞당겨질 수 있다.

5일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 20나노 미세공정을 적용한 HBM2를 조만간 양산할 것으로 알려졌다. SK하이닉스 내부 사정에 정통한 업계 관계자는 “HBM2 공급을 위해 고객사 인증이 마무리 된 것으로 안다”고 전했다.

HBM은 실리콘관통전극(Through Silicon Via, TSV) 기술을 적용해 D램 다이를 적층, 메모리 대역폭을 끌어올려 데이터 병목현상을 해결할 수 있다. HBM2는 HBM1과 비교해 메모리 대역폭이 2Gbps로 더 늘어났으며 용량의 증가(8Gb)와 함께 에러보정기술(ECC)도 갖췄다. SK하이닉스의 경우 지난 2013년 HBM을 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2014’에서 공개한바 있지만 이후 삼성전자가 HBM2를 먼저 엔비디아에 공급하며 경쟁에서 다소 뒤쳐졌다.

SK하이닉스의 HBM2 양산이 늦어진 것은 독특한 설계 탓도 있다. 기본적으로 HBM2는 레이턴시(지연시간)를 낮춰 성능을 끌어올릴 수 있는 ‘의사 채널(疑似, Pseudo Channel)’을 지원한다. 삼성전자가 한 개의 다이에 채널 2개, 의사 채널 4개를 구현했다면 SK하이닉스의 경우 같은 조건에서 채널 4개에 의사 채널 8개로 구성됐다. 더불어 베이스 다이(Base Die)를 중심으로 HBM과 HBM2의 기능의 접목에 차이가 있다.

쉽게 말해 삼성전자가 국제반도체표준협의기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)의 표준을 정직하게 따랐다면, SK하이닉스의 경우 표준이 정해지기 이전의 HBM 설계가 남아있다고 보면 된다. 이는 AMD와 함께 HBM 표준을 처음으로 만들었고 이후에 HBM2에 삼성전자, 엔비디아 등이 참여하면서 한발 양보한 결과로 풀이된다.

한편 증권업계가 내놓은 SK하이닉스의 2분기 실적 예상평균치는 매출액 3조7000억원대, 영업이익 3300억원대다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com