인텔이 48단 적층수를 갖는 3D 낸드플래시를 내년 하반기에 양산키로 했다. 아직까지 낸드플래시 시장에서 한 자릿수 점유율로 고전하고 있는 인텔은 공격적인 투자를 통해 급성장하고 있는 메모리 반도체 분야에서의 영향력 확대를 모색하고 있다. D램과 낸드플래시의 중간 형태를 가진 ‘3D X(크로스) 포인트’도 올해 선보일 예정이다.

13일 관련 업계에 따르면 인텔은 내년 하반기에 48단 3D 낸드 양상을 시작할 것으로 전해졌다. 현재는 32단이며 중국 다롄 공장에서 2분기부터 양산에 들어간 상태다. 인텔의 이 같은 사업추진은 바꿔 말해 낸드플래시 시장을 진지하게 바라보고 있다는 얘기다. 메모리 분야에서 더 많은 투자와 함께 시장을 적극적으로 공략하겠다는 것으로 사실상 업계 선두인 삼성전자를 목표로 삼고 있다는 의미이기도 하다.

같은 3D 낸드라도 인텔과 삼성전자는 기술 기반이 다르다. 3D 기술은 셀을 평면으로 전개하는 2D 낸드와 달리 셀을 수직으로 쌓아올린다. 삼성전자는 전하를 저장하는 게이트 타입을 플로팅게이트(Floating Gate, FG)에서 차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash, CTF)로 바꿔 3D 낸드를 생산하고 있다. CTF는 부도체에 전하를 저장토록 함으로써 셀과 셀 사이의 간섭 현상을 줄이고 간격을 좁힐 수 있다. 이 기술은 삼성전자가 원천특허를 보유하고 있다.

인텔은 CTF가 아닌 FG를 밀고 있다. 삼성전자가 원천특허를 가지고 있기도 하지만 지난 25년 동안 FG를 사용해온 만큼 시장에서 검증받은 기술이라는 점을 부각시키고자 노력중이다. CTF는 셀을 묶은 어레이를 제어하기 위한 컨트롤 회로를 주변에 반드시 수평적으로 배치해야 하는 어려움이 있지만 FG는 셀 아래쪽에 배치할 수 있어 그만큼 비용절감이 가능하다는 점을 강조한 상태다. 적층수에 있어서는 삼성전자보다 부족하지만 32단 만으로도 충분히 대응할 수 있다는 자신감이기도 하다.

인텔 48단 3D 낸드는 셀당 3비트(bit)를 저장할 수 있는 트리플레벨셀(TLC) 방식만 쓸 계획이다. 원가절감에 초점을 맞췄다는 뜻. 삼성전자가 낸드플래시에서 강세를 보이는 이유도 여기에 있다. TLC 48단 3D 낸드를 2015년 8월부터 양산, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서 괄목할만한 성과를 거뒀기 때문이다. 시장조사업체 IHS에 따르면 삼성전자는 지난 1분기 낸드플래시에서만 26억1500만달러(약 3조원)의 매출을 올려 전 분기(25억3600만달러) 대비 3.1%의 성장률을 나타냈다.

한편 48단 3D 낸드는 삼성전자에 이어 SK하이닉스가 올해 중으로 연구개발(R&D)을 완료하고 내년부터 양산에 들어갈 계획이다. 도시바는 하반기 양산 계획을 가지고 있다. 내년 인텔이 가세하기 전에 삼성전자는 64단 3D 낸드 개발을 마무리할 것으로 전망된다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com