반도체

삼성전자, V낸드 용량 2배↑…차별화 SSD 솔루션 대거 선봬

이수환

[전자부품 전문 미디어 인사이트세미콘]

삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현 윤부근 신종균)는 8일(현지시각) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)’에서 세계 최대용량의 3D 낸드(V낸드)와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 솔루션을 선보였다.

▲세계 최대 용량의 ‘1테라비트(Tb) V낸드’ ▲서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 ‘NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’ ▲기존 SSD보다 성능을 향상시킨 ‘Z-SSD’ ▲신개념 데이터 저장방식을 적용한 ‘키 밸류(Key Value) SSD’ 등 V낸드 기반 신기술이 대상이다.

핵심은 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 1Tb V낸드다. 이 제품은 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있어 SSD의 용량을 크게 늘릴 수 있다. 이를 활용한 SSD는 2018년에 출시될 예정이다.

서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 NGSFF SSD는 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 대체하면서 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 높일 수 있다. 이날 행사에서 삼성전자는 16TB NGSFF SSD 36개를 탑재한 576TB의 레퍼런스 시스템(1U)을 공개했다. 2U 시스템으로 1페타바이트(PB)의 스토리지 시스템을 구현할 수 있다.

삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산해 고객 수요에 대응하고 내년 1분기에 국제반도체표준협의 기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC) 표준화를 완료, 데이터센터 및 다양한 서버 고객이 더욱 효율적으로 시스템을 구축할 수 있게 할 예정이다.

Z-SSD는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 것이 특징이다. 기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15마이크로초(㎲)로 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다. 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 적합하다.

이 외에도 키 밸류 SSD는 비정형 데이터 저장에 특화됐다. 기존 SSD의 경우 다양한 종류, 크기의 데이터를 저장할 때 특정 크기로 변환해 저장하는 방식을 사용하고 있으나 키 밸류 SSD 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있다. SSD 수명도 연장된다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화 하고, 향후 인공지능(AI), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것” 이라고 밝혔다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr

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