반도체

삼성전자 이어 SK하이닉스, DDR5 기반 CXL D램 개발

김도현

- 2023년 양산 예정

[디지털데일리 김도현 기자] 국내 반도체 업계가 차세대 메모리 시장을 주도하고 있다. 차세대 규격 및 솔루션을 연이어 선점하면서 미국 일본 대만 등 경쟁국과의 기술 격차를 유지해나가는 분위기다.

1일 SK하이닉스(대표 박정호 곽노정)는 DDR(Double Data Rate)5 D램 기반 CXL(Compute Express Link) 메모리 샘플을 개발했다고 밝혔다.

DDR5는 새로운 D램 규격이다. DDR 메모리는 한 클럭 사이클 동안 2번 데이터 신호를 송수신할 수 있다. 숫자가 높을수록 2배씩 발전한다는 의미다. 도로로 비유하면 DDR 2차선, DDR2 4차선, DDR3 8차선, DDR4 16차선, DDR5 32차선 정도다. DDR5는 전 세대인 DDR4 대비 2배 빠른 수준이다.

CXL은 고성능 컴퓨팅(HPC) 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스다. 중앙처리장치(CPU)와 결합하는 가속기(FPGA·GPU 등), 메모리, 저장장치 등 효율성을 높이기 위해 만들어졌다.

이번에 SK하이닉스가 선보인 제품은 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 5.0을 지원하는 CXL 메모리다. PCIe는 디지털 기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조 고속 입출력 인터페이스다.

반도체 및 서버 업체들은 지난 2019년 CXL 컨소시엄을 구성해 관련 시장 상용화를 위해 협력 중이다. SK하이닉스 역시 발족 초기부터 참여하고 있다.

SK하이닉스는 “CXL 메모리 핵심은 확정성이다. 서버 플랫폼 채용과 동시에 메모리 용량과 성능이 고정되는 기존 서버 시장 한계점을 보완해 유연하게 메모리를 확장할 수 있다”고 설명했다. 인공지능(AI)·빅데이터 등 고성능 연산 시스템에 적합한 것으로 평가받는다.

SK하이닉스 D램상품기획담당 강욱성 부사장은 “CXL은 메모리 확장과 새로운 시장을 창출할 수 있는 새로운 계기”라며 “양산 시점은 2023년으로 예정하고 있다. 그 후에도 최첨단 D램 및 진보 패키지 기술을 개발해 CXL 기반 다양한 대역폭 및 용량 확장 메모리 솔루션 제품을 출시할 계획”이라고 말했다.

SK하이닉스가 내년부터 양산할 CXL 메모리는 최신 기술 노드인 10나노미터(nm)급 4세대(1a) DDR5 24기가비트(Gb) D램을 사용한 96기가바이트(GB) 제품이다.

아울러 SK하이닉스는 주요 파트너사와 CXL 관련 협업을 진행 중이다. 인텔, AMD, 델, 몬타지테크놀로지 등이 대상이다.

인텔 메모리 및 입출력(I/O) 테크놀로지 데벤드라 다스 샤르마 수석 펠로우는 “CXL은 데이터 센터 시스템 발전을 위한 메모리 확장에 필수적인 역할을 한다”며 "SK하이닉스 등과 협업한 CXL 컨소시엄을 통해 기술 표준의 빠른 개발은 물론 CXL 메모리 생태계 구축과 확장까지 기대한다“고 강조했다.

SK하이닉스는 CXL 생태계 확대를 위해 전용 HMSDK(Heterogeneous Memory Software Development Kit)도 개발했다. CXL 메모리를 간편하게 도입할 수 있도록 지원하는 툴이다. SK하이닉스는 올해 4분기 HMSDK를 오픈소스로 배포할 계획이다.

오는 8월 FMS(Flash Memory Summit), 9월 인텔 이노베이션, 10월 OCP(Open Compute Project) 글로벌 서밋 등에서는 실물 제품을 전시할 예정이다.

한편 삼성전자도 CXL 메모리 관련 소식을 전했다. 지난 5월 삼성전자는 512GB CXL D램을 개발했다고 발표했다. 올해 3분기부터 고객사에 샘플을 제공한다. 업계에서는 삼성전자도 내년부터 CXL 제품 양산을 본격화할 것으로 보고 있다.
김도현
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