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DB하이텍, 전력반도체 확대…3세대 SJ 모스펫 공정 강화

디지털데일리 발행일 2022-10-18 09:39:43
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윤상호
- 650V 이어 600V·700V 공정 추가

[디지털데일리 윤상호 기자] DB하이텍이 전력용 반도체 수탁생산(파운드리) 생산 기술을 강화했다.

DB하이텍(대표 최창식)은 3세대 슈퍼정션(SJ: Super Jucntion) 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, 모스펫) 사업을 확장한다고 18일 밝혔다.

모스펫은 정보통신기술(ICT) 기기 전원공급장치에 적용한다. 스위칭 및 신호 증폭 기능을 담당하는 부품이다.

DB하이텍은 3세대 650볼트(V) 공정을 양산 중이다. DB하이텍 3세대 SJ 모스펫 공정은 2세대 대비 저항값을 50~60% 낮췄다. ▲낮은 전자방해잡음(EMI) ▲고속 스위칭 ▲고속 회복 다이오드(FRD) ▲높은 정전기 방전(ESD) 등을 옵션으로 제공한다. 25~600밀리옴(mOhm) 사이 온저항을 지원한다. 표준 패키지를 사용해 다양한 응용처에 탑재할 수 있다.

연내 고온 신뢰성 평가 드레인 전압 100%(100%Vdd)하에서 HTRB(High Temperature Reverse Bias) 품질 테스트를 완료 목표다. 600V와 700V 공정도 개발했다.

DB하이텍은 “향후 4세대 SJ 모스펫 제품 개발에 기술 역량을 집중해 시장 점유율을 더욱 높여갈 예정”이라며 “장기적으로는 질화갈륨(GaN), 실리콘카바이드(SiC) 등과 같은 차세대 전력반도체 솔루션을 갖춰 전기차 등의 신규 고성장 시장으로의 진출을 꾀할 것”이라고 전했다.
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