[디지털데일리 배태용기자] 올해 삼성전자는 업계 최초 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발해 반도체 업계의 이목을 끌었다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다.

메모리는 컴퓨터나 스마트폰 등의 전자기기에서 데이터를 임시로 저장하고 처리하는 역할을 한다. 메모리의 용량과 속도는 전자기기의 성능과 전력 소모에 큰 영향을 미친다. 따라서 메모리의 용량을 늘리고, 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이는 것은 메모리 산업의 핵심 과제이다.

12나노급 32Gb DDR5 D램은 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자가 40년만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거둔 것이다. 기존의 16Gb DDR5 D램과 비교해선 2배 용량 구현했다.

특히 12나노급 32Gb DDR5 D램 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정 없이 제작할 수 있게 된 점도 주목되는 점 중 하나다. TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)는 칩을 얇게 간 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

기존에는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작하려면 TSV 공정을 사용해야 했다. 이 공정은 비용이 많이 들고 복잡하다는 단점이 있다. 삼성전자는 이를 극복하기 위해 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 32Gb DDR5 D램을 구현한 것이다.

또한 12나노급 32Gb DDR5 D램은 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력을 개선할 수 있다. 이는 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 것이다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. AI시대를 주도 할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.

삼성전자 관계자는 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"라며, "앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.