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RFHIC, 스웨덴 기업에 지분투자…"GaN 반도체 사업 확대"

디지털데일리 발행일 2024-03-05 10:20:11
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고성현 기자
스위겐 본사 건물(왼쪽)과 에피웨이퍼(오른쪽) [ⓒRFHIC]
스위겐 본사 건물(왼쪽)과 에피웨이퍼(오른쪽) [ⓒRFHIC]

[디지털데일리 고성현 기자] 화합물 반도체 기업 RFHIC(대표 조덕수)가 질화갈륨 반도체(GaN on SiC) 사업 확대를 위해 스웨덴 기업과 협력한다.

RFHIC는 스웨덴 GaN 반도체 에피웨이퍼 개발 기업 스위겐(SweGaN)에 전략적 지분투자를 결정했다고 5일 발표했다.

GaN, 실리콘카바이드(SiC) 반도체는 기존 실리콘 대비 고전압·고온에 강해 전력 효율이 높은 화합물 반도체다. 전기차 충전 등에 사용되는 차세대 전력반도체(PMIC)의 일종으로 꼽히기도 한다.

회사는 최근 화합물 반도체 관심 확대에 맞춰 스위겐에 전략적 지분투자를 단행, 해당 분야 경쟁력을 확보하겠다는 계획이다.

스위겐은 6인치 GaN on SiC 에피웨이퍼를 제조하는 기업이다. 이 회사 에피웨이퍼가 적용된 GaN on SiC는 4GHz 이상 초고주파 대역에서 전력 효율성이 높다. RFHIC는 이러한 점을 질화갈륨 웨이퍼 수급처 다변화에 중요한 요인으로 작용할 것으로 내다봤다.

RFHIC 관계자는 "이번 전략적 지분투자를 통해 지속적으로 증가하고 있는 GaN 반도체 수요에 적극 대응하고, 4GHz 이상 주파수로 확대될 것이라 예상되는 5G, 6G 및 저궤도 위성통신 분야에서도 독보적인 제품을 출시할 수 있도록 연구개발에 주력할 계획"이라고 말했다.

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고성현 기자
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