[디지털데일리 고성현 기자] 삼성전자 파운드리가 글로벌 팹리스 기업인 AMD의 3나노미터(㎚) 반도체 칩을 수주할 가능성이 높아졌다. AMD가 게이트올어라운드(GAA) 기반 공정 도입을 시사하면서다.

28일 외신, 업계 등에 따르면 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 24일(현지시간) 벨기에 안트베르펜에서 열린 '아이멕 테크놀로지 컨퍼런스(ITF 2024)'에서 연설을 통해 3나노 GAA 공정을 통한 차세대 칩 양산 계획을 밝혔다.

GAA는 채널과 게이트가 3면이 닿던 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조에서 4면이 닿도록 변경한 차세대 구조다. 채널과 게이트가 닿는 면이 늘면 집적회로 미세화에 따른 누설전류가 줄어들고 전력 효율이 높아진다.

현재 GAA 기반 공정을 도입한 기업은 전세계에서 삼성전자 파운드리가 유일하다. 파운드리 1위 기업인 TSMC는 2나노부터 이 기술을 도입할 것으로 전해졌다. 이를 토대로 삼성전자가 AMD의 차세대 칩을 수주한 것이 아니냐는 관측이 나오고 있다. 특히 인공지능(AI) 서버용 칩이 막대한 전력 소모를 유발하는 만큼, 전력 소비를 최소화하기 위한 방안으로 GAA 기반 3나노 공정을 택한 것으로 추정된다.

업계에서는 이번 협업이 삼성전자가 공세적으로 추진하는 고대역폭메모리(HBM)의 수혜로 이어질 수 있다고 보고 있다. 인공지능용 GPU(GPGPU)가 고대역폭메모리(HBM)와 함께 생산되는 만큼, 삼성전자가 HBM 및 패키징 일괄수주(Turn-key)를 받을 수 있다는 이유에서다.

삼성전자가 관련 협력과 개발 방향에 대한 언급을 내놓을지도 관심이다. 삼성전자는 내달 12일, 13일 양일간 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024’와 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼’을 개최한다. 회사는 이날 행사에서 최신 반도체 공정 기술과 고객사 등 생태계와의 협력 등을 소개할 것으로 예상된다.