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삼성전자 "파운드리, 2나노 GAA 공정 양산성 확보 중…HBM 버퍼 다이 개발 추진"

디지털데일리 발행일 2024-10-31 11:00:44
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고성현 기자
삼성전자 서초 사옥 [ⓒ삼성전자]
삼성전자 서초 사옥 [ⓒ삼성전자]

삼성전자는 31일 진행된 올해 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "3분기 시작은 AI, 고성능컴퓨팅(HPC) 증가로 선단 공정 수요가 증가했으나 PC, 모바일 수요 회복이 기대에 미치지 못했다"면서도 "5나노 이하 선단 공정 중심으로 수주 목표를 달성했다"고 말했다.

이어 "당사 핵심 사업인 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 프로세스디자인키트(PDK)를 고객사에 배포해 제품 설계를 진행하고 있다"며 "4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력할 것"이라고 전했다.

아울러 주력인 4나노 공정과 관련해서도 "모바일 및 HPC 확대를 위한 인프라 개발 중"이라며 "메모리사업부와 협력해 선단 공정 및 첨단 패키징을 결합한 HBM용 버퍼 다이를 개발 중에 있다"고 덧붙였다.

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고성현 기자
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