[디지털데일리 고성현 기자] 반도체 사업의 돌파구를 마련 중인 삼성전자(대표 한종희)가 메모리 역사의 산실인 기흥캠퍼스의 차세대 연구개발(R&D) 단지에 신규 R&D 설비를 반입한다. 이를 토대로 미래 기술 연구의 토대를 마련하고 재도약의 발판을 마련하겠다는 목표다.

삼성전자는 18일 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 'New Research & Development - K'(이하 NRD-K) 설비 반입식을 개최했다. NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 2030년 총 투자 규모 20조원을 투입해 건설중인 10만9000㎡(3만3000여평) 규모 최첨단 복합 연구개발 단지다. 이날 행사에는 삼성전자 전영현 부회장을 비롯한 DS부문 주요 경영진과 설비 협력사 대표, 반도체연구소 임직원 등 약 100명이 참석했다.

NRD-K는 메모리·시스템반도체·파운드리 등 삼성 반도체 전 분야의 핵심 연구기지다. 근원적 기술 연구부터 제품 개발까지 한 곳에서 이뤄질 수 있도록 고도의 인프라를 갖출 예정이다. 삼성전자는 차세대 메모리 반도체 개발에 활용할 고해상도 극자외선(High-NA EUV) 노광 설비와 신물질 증착설비 등 최첨단 생산 설비와 웨이퍼 두 장을 이어 붙이는 웨이퍼 본딩 인프라 등을 도입할 계획이다.

전영현 부회장은 기념사를 통해 "NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계 확립으로 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것"이라며 "삼성전자 반도체 50년의 역사가 시작된 기흥에서 재도약의 발판을 다져 새로운 100년의 미래를 만들겠다"고 밝혔다.

이번 기흥캠퍼스 내 차세대 R&D단지 투자는 삼성전자 반도체 사업의 산실에 미래 경쟁력의 초석을 다진다는 점에서 상징적인 의미가 깊다. 삼성 기흥캠퍼스는 삼성전자의 글로벌 메모리 1위 도약이 시작된 태동지다. 삼성전자는 1983년 2월 도쿄선언 이후 9월 양산라인 착공을 시작으로 첨단 VLSI급 반도체 사업을 시작했으며 ▲1992년 세계 최초 64M D램 개발 ▲1992년 D램 시장 1위 달성 ▲1993년 메모리반도체 분야 30년 1위 초석 다지기 등의 성과를 냈다.

삼성 반도체연구소 역시 1983년 부천사업장에 첫 설립된 이래 M라인·U라인·RS라인을 거치며 화성캠퍼스에 NRD라인으로 명맥이 이어져 왔다. 삼성전자는 지속적인 차세대 제품·공정 선행 연구와 기술 경쟁력 제고를 통해 ▲3차원 수직구조 V낸드 ▲업계 최선단 12나노미터(㎚)급 D램 ▲업계 최초 9세대 V낸드 ▲2억 화소 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL)' ▲모바일용 플래그십 애플리케이션 프로세서(AP) '엑시노스(Exynos)' 개발 등 현 제품의 미바탕을 마련해왔다. 그러다 이번 투자로 기흥에 'NRD-K'가 설립되면서 첨단 반도체 산업의 새로운 전기를 마련하게 됐다는 평가다.

삼성전자는 이번 기흥 내 NRD-K 투자로 국가전으로 번진 반도체 패권 전쟁에서 주도권을 잡고, 첨단 기술을 확보해 나갈 계획이다. 이를 통해 한국경제를 견인하는 미래산업 기반으로 지속적인 투자와 차별화된 기술력, 새로운 시장 진입 등으로 '반도체 초강대국' 달성에 기여하겠다는 목표를 세웠다. 아울러 기흥을 첨단 반도체 산업 생태계의 중심지로 구축하고 협력사와 R&D 협력도 더욱 늘려갈 방침이다.

이날 설비 반입식에 참석한 박광선 어플라이드 머티어리얼즈 지사장은 "상생 협력의 파트너십이 더욱 중요한 시기에 어플라이드 머티어리얼즈는 삼성전자와의 긴밀한 협력을 통해 함께 혁신의 속도를 높여 반도체 산업 발전에 기여할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 지난 3분기 연구개발 분야에 분기 기준 역대 최대 규모인 8.87조원을 투자했다. 아울러 첨단 패키징 설비를 확대하는 등 미래 기술 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다.