[디지털데일리 고성현 기자] LB세미콘(대표 김남석)이 국내 8인치 파운드리 업체인 DB하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 재배선(RDL) 개선 제품 개발에 나섰다.

양사는 내년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행하고 있다고 4일 밝혔다. 현재 제품 신뢰성을 높이는데 중점을 두고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다.

특히 LB세미콘은 원가 절감을 목표로 하는 전력반도체(PMIC) RDL 개선 제품 개발에 집중한다. 또 LB루셈이 DB하이텍과의 협업에 참여해 백사이드(Back Side) 공정을 담당하며, LB세미콘이 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡아 시너지를 낼 계획이다. 구체적으로는 LB세미콘이 웨이퍼 표면에 금속층(구리 등)을 증착해 전기적으로 연결하는 전극 형성을 진행한다. LB루셈은 웨이퍼 후면에 대한 그라인딩 및 금속 증착, 테스트 등을 진행할 예정이다.

회사는 차세대 전력반도체로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 제품 개발에도 참여할 예정이다. 현재 DB하이텍은 8인치 SiC·GaN 반도체를 생산하기 위한 신사업을 추진 중이며, LB세미콘도 이에 해당하는 패키지·테스트 역량을 확보해 신뢰성과 기술력을 높이겠다는 방침이다.

SiC·GaN 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 PMIC 대비 고내열·고전압 특성을 갖춘 제품으로 꼽힌다. 에너지저장장치(ESS)나 인공지능(AI) 인프라 등에 주로 활용될 것으로 기대받고 있다. 특히 AI 기반 서버의 경우 막대한 데이터 처리를 위해 파워 서플라이 등을 현 1000와트(W) 수준에서 1500W~3000W까지도 확대해야 하는 상황이다.

LB세미콘과 LB루셈은 이번 협업으로 안정적인 파운드리 파트너를 확보하고, 전력반도체 시장으로의 시장 확대를 추진할 수 있게 됐다. 이를 통해 기존 후공정·테스트 사업 영역을 저전력 MOSFET에서 고전력 MOSFET 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)로 넓혀 고객 다각화까지 진행한다.

LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.