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글로벌파운드리 2017년 7나노 공정 도입 목표… 삼성전자도?

디지털데일리 발행일 2012-12-14 13:33:24
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한주엽 기자
[디지털데일리 한주엽기자] 세계 2위 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 글로벌파운드리(GF)가 오는 2017년 7나노 생산 공정을 도입한다는 장기 로드맵을 밝혔다.

GF는 IBM, 삼성전자와 공동으로 반도체 생산 공정 기술을 개발하는 ‘커먼 플랫폼 연합’에 속해 있다. 따라서 GF의 중장기 파운드리 로드맵은 삼성전자의 향후 행보를 가늠할 수 있는 바로미터가 될 수 있다는 것이 전문가들의 설명이다.

커먼 플랫폼 연합에 속한 삼성전자와 GF는 내년 말 20나노 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 도입하고, 2014년에는 3차원(D) 설계 기술인 ‘핀펫(FINFET)’을 적용해 14나노 반도체를 생산한다는 계획을 밝힌 바 있다.

아지트 마노차 GF 최고경영자(CEO)는 지난 10일(현지시각)부터 12일까지 미국 샌프란시스코에서 열린 국제전자소자회의(IEDM)를 통해 “2014년 양산을 시작하는 14나노에 이어 2015년 10나노, 2017년 7나노 공정을 도입할 것”이라며 “이에 앞서 20나노와 14나노 공정은 미국 뉴욕의 신공장인 ‘팹8’에서 우선 적용될 것”이라고 말했다.

그는 반도체 업계의 발전을 위해서는 2.5D 및 3D 칩 패키징, 450㎜ 웨이퍼 인프라, 극자외선(EUV) 노광장비, 핀펫 공정 기술이 우선 개발되어야 할 것이라며 업계의 협력이 필요하다고 역설했다. 아울러 반도체의 집적도가 18개월마다 두 배씩 증가하는 ‘무어의 법칙’이 깨지지 않으려면 450㎜ 대구경 웨이퍼로의 전환은 꼭 필요하다며 “업계와 보조를 맞춰 대응할 생각을 갖고 있다”라고 말했다.

삼성전자는 올해 IEDM에서 게이트 전극을 소스/드레인보다 늦게 형성하는 ‘게이트 라스트’ 방식 및 HKMG 기술을 적용한 20나노 시스템온칩(SoC)용 공정 연구개발(R&D) 성과를 발표했다. 게이트 라스트 방식과 HKMG를 적용한 20나노 반도체는 내년 하반기부터 양산이 이뤄질 것으로 업계 전문가들은 관측하고 있다.

한 관계자는 “커먼 플랫폼 연합에 속한 삼성전자와 GF의 중장기 파운드리 공정 로드맵은 거의 비슷하다”라며 “내년 말 20나노, 2014년 14나노 핀펫, 2015년 10나노, 2017년 7나노 공정이 적용된다는 계획은 GF뿐 아니라 삼성전자의 계획과도 일치할 것”이라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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