“3D X(크로스)포인트에 대응해 MDS(Managed Dram Solution)를 오는 2018년을 목표로 준비하고 있다” SK하이닉스 DRAM기술본부장 김진국 본부장(전무)<사진>은 21일 서울 양재동 더케이호텔에서 한국반도체테스트학회 주최로 열린 제17회 한국테스트학술대회에서 이같이 밝혔다.

MDS는 D램 용량을 늘리면서도 성능을 모두 고려한 기술이다. 일반 D램과 비휘발성메모리(NVM)의 중간 형태로 용량, 가격, 성능, 전력소비량에서 평균 이상을 나타내면서도 내구성과 공정의 완성도에서 더 낫다는 평가다. 3D X포인트와 마찬가지로 D램과 낸드플래시의 중간 형태에 있다고 보면 된다.

김 전무는 4차 산업혁명 시대의 메모리 요구사항으로 ‘대역폭’, ‘용량’, ‘지속성’을 꼽았다. D램과 같이 주메모리로 쓰이는 반도체는 중앙처리장치(CPU)와 비교했을 때 여전히 속도가 느리다. 인공지능(AI), 빅데이터, 클라우드 시대에 더 빠르고 전력소비량이 낮은 메모리가 필요하다는 점에서 기술전환이 필요하지만 비트성장이 한계에 다다른 상황이라 어떻게든 혁신이 이뤄져야 한다. MDS는 이런 시대적 요구사항의 일환이다.

김 전무는 “인 메모리 컴퓨팅(In Memory Computing)의 핵심요소는 CPU와 근접에서 빠른 정보처리가 이뤄져야 한다는 것”이라며 “3D X포인트는 캐파시티(capacity) 메모리 관점에서 효과적인 가치를 구현했지만 표준이 폐쇄적이고 기술 자체가 정확하게 필드 프로브되지 못했다”고 설명했다. 풀어 말하면 MDS를 표준으로 제시하겠다는 것. 이런 전략이 가능하려면 업계와의 긴밀한 공조가 중요하다.

또한 김 전무는 ‘비휘발성메모리모듈(Non Volatile Dual In-line Memory Module, NVDIMM)-P’ 규격을 지지한다고 밝혔다. NVDIMM은 백업 용도의 ‘N’, 스토리지 용도의 ‘F’, 그리고 두 가지 방식을 모두 포함한 ‘P’ 규격으로 나뉜다. 인텔, 마이크론이 3D X포인트로 서버 시장을 두드리고 있는 상황에서 보다 적극적인 대응이라고 봐도 무리가 없다.

고대역폭메모리(High Bandwidth Memory, HBM)에 대해서는 조만간 양산에 돌입함과 동시에 주요 고객사 확보를 마친 것으로 보인다. 삼성전자가 한발 앞서 2세대 HBM(HBM2)를 HP, 델, 엔비디아 등에 공급하기로 했기 때문에 어떤 형태로던 추격이 필요하다.

한편 김 전무는 10나노 이하 D램 개발에 대해 “10나노 이하에서는 기존의 게이트 구조를 한번 더 바꿔야 하겠지만 불가능하지 않다”며 “기술 자체의 한계보다는 (앞으로) 원가와 경제에 대한 부분이 기술보다 앞에 있다”고 덧붙였다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com