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삼성전자가 인텔 3D 크로스(X)포인트에 대비한 ‘Z-솔리드스테이트드라이브(SSD)’ 준비에 본격적으로 나선다. Z-SSD는 지난해 ‘플래시 메모리 서밋’을 통해 공개된 바 있으며 연구개발(R&D)은 끝났으나 시장성 파악을 위해 출시는 미뤄진 상태였다. 인텔이 3D X포인트 물량 확대에 나서는 시기에 발맞춰 공급이 예상된다.

27일 업계에 따르면 삼성전자 싱글레벨셀(SLC·1비트) 낸드플래시와 Z-컨트롤러를 탑재한 Z-SSD 출시 준비를 시작한 것으로 전해졌다. 삼성전자 내부 소식에 정통한 관계자는 “상변화메모리(P램) 기반의 3D X포인트를 겨냥한 Z-SSD는 준비가 끝난 상태”라며 “시장성만 확보되면 P램뿐 아니라 저항변화메모리(Re램)와 같은 이머징 메모리는 언제든 선보일 수 있다”고 전했다.

이미 삼성전자는 다른 이머징 메모리 가운데 하나인 스핀주입자화반전메모리(STT-M램)를 디스플레이 타이밍컨트롤러(T-CON, 티콘)를 대체하는 개념으로 소개한 바 있다. P램과 Re램도 시장이 받아들일 준비가 됐다면 언제든 출시할 수 있다는 입장이다.

이런 상황에서 Z-SSD는 농익은 낸드플래시 기술을 적극적으로 활용, 이머징 메모리로 진입하기까지의 시간을 벌어주면서 3D X포인트를 견제하는 목적으로 쓰일 것으로 전망된다. SLC의 장점을 살리겠다는 의도다.

낸드플래시는 기본적으로 데이터를 저장하는 최소 단위인 최소 단위인 셀(Cell) 몇 비트(Bit)를 저장하느냐에 따라 SLC, 멀티레벨셀(MLC·2비트), 트리플레벨셀(TLC·3비트)로 구분한다. 같은 공정이라면 성능은 ‘SLC>MLC>TLC’, 용량은 ‘TLC>MLC>SLC’라고 보면 된다.

SLC 기반의 Z-SSD를 통해 용량은 작지만 성능을 극대화하겠다는 것. 어차피 3D X포인트가 낸드플래시보다 성능은 높지만 용량이 작아 버퍼 역할로 쓰인다는 점을 이용한 셈이다. 더구나 Z-컨트롤러를 통해 대규모 데이터 처리에 있어서 상대적으로 더 유리하다는 점을 내세울 가능성이 높다.

한편 삼성전자와 인텔은 SSD 폼팩터를 두고서도 경쟁을 시작한 상태다. 삼성전자는 ‘NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD’, 인텔은 룰러(Ruler)를 내세운 상태. 업계에서는 수익성이 높은 기업용 SSD 시장을 두고 양사의 치열한 다툼이 불가피할 것으로 보고 있다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr