- 현존 최대 용량 제품…첫 D램 이후 40년 만에 50만배↑

- TSV 공정 없이 128GB 모듈 제작…연내 양산 예정

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 메모리 1위다운 면모를 드러냈다. 사상 최대 용량 D램을 구현했다.

1일 삼성전자는 업계 최초 12나노미터(nm)급 32기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 개발했다고 전했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준 최고 용량이다.

삼성전자는 지난 1983년 64킬로비트(Kb) D램 개발을 시작으로 관련 시장에 뛰어든 바 있다. 40년 만에 D램 용량을 약 50만배 늘리게 됐다.

지난 5월에 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 반년도 지나지 않아 신기록을 작성한 삼성전자다. 업계에서는 이를 통해 삼성전자가 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 한 것으로 보고 있다.

이번 32Gb 제품의 특징은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현한 것이다. 이를 통해 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘관통전극(TSV) 공정 없이 제작 가능하게 됐다.

그동안 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 기술이 필수적이었다. 참고로 TSV는 D램을 얇게 갈고 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 위아래 칩을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 패키징 방식이다.

아울러 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선을 이뤄내 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업에 최적의 솔루션이 될 것으로 예상된다.

삼성전자는 이번 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 방침이다. AI 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D램 시장을 견인하겠다는 심산이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1테라바이트(TB) 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 앞으로도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술 한계를 극복해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획이다.