[디지털데일리 김문기 기자] “인텔 5세대 제온은 AI 시대가 요구하는 고성능 최적의 마이크로 프로세서다. 삼성전자는 개발 초기부터 DDR5 메모리와 관련한 긴밀한 협업을 진행해왔다. 삼성전자는 5세대 제온이 최고의 성능을 낼 수 있도록 고성능 저전력의 최적 메모리 솔루션을 제공한다.”

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 18일 서울 여의도 전경련회관에서 열린 ‘인텔 AI 에브리웨어’ 간담회장에서 무대에 올라 5세대 제온 프로세서 개발초기부터 긴밀하게 협력을 이어왔으며, 차세대 삼성 메모리 솔루션이 최적의 성능을 내는데 더 없는 파트너임을 강조했다.

배 부사장은 “인텔과는 단순한 협업을 넘어 메모리 표준화와 기술력을 확보하기 위해 여러 분야로 넓혀 협력하고 있다”라며, “인텔과 함께 삼성전자는 마이크로 프로세서와 메모리 시장 선도를 위해 노력하고 있으며, 반도체 업계를 넘어 IT 생태계 전반 시장에서 요구하고 있는 솔루션을 제공하기 위해 힘을 모으고 있다”고 말했다.

이어, “AI 진입과 함께 지속적인 성능 향상이 필요하며, 이를 극복하기 위해서는 메모리와의 관계가 중요하다”라며, “과거 구현할 수 없었던 AI를 실현하기 위해서는 뛰어난 성능의 프로세서와 메모리의 결합은 필수적이며, 삼성은 인텔과 협업을 통해 극복하고자 한다”고 덧붙였다.

인텔 5세대 제온 프로세서는 DDR5-5600 규격의 8채널 구성을 지원한다. CXL 1.1 타입3 메모리의 4채널 구성도 지원한다. 삼성전자는 이에 대응하는 메모리 포트폴리오 준비를 모두 끝마친 상태다.

삼성전자는 지난 9월 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다. 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 전작인 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 128GB 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 됐다. TSV(실리콘 관통 전극)이란 칩을 얇게 간 다음, 수백개의 미세한 구멍을 뚫고 상단칩과 하단칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. TSV 공정 없이도 동일 128GB 모듈 기준, 전작 대비 약 10% 소비전력 개선도 가능해졌다.

또한 최근에는 차세대 고대역폭메모리인 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 공개하기도 했다. 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다,

배 부사장은 “5세대 제온의 CXL 1.1 지원 확대는 서버 아키텍처의 확장과 유연성을 확보해줄 것”이라며, “CXL은 미래 핵심 기술로 인식되고 있으며 생태계 발전을 위해 인텔과 지속적으로 협력해나가겠다”고 밝혔다.

삼성전자는 CXL 인터페이스 표준화를 위해 파트너사와 끊임없는 노력을 경주하고 있다. 삼성전자는 인텔이 공개한 5세대 제온 프로세서의 경우 CXL 1.1까지만 지원하기는 하지만, 내년에 발표되는 다음 세대와 합을 맞출 CXL 2.0 D램까지 개발을 마친 상태다. CXL D램은 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 인공지능, 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다.

양사는 메모리뿐만 아니라 프로덕트 측면에서도 협업을 이어가고 있다. 그는 “인텔 코어 울트라는 온디바이스 AI를 통해 AI 애플리케이션과 고성능 게임 등 기존 한계를 뛰어넘는 경험을 준다”라며, “이번 행사를 기점으로 모든 분야에 AI가 접목되면서 온 디바이스 AI 트렌드는 점차 강화될 것”이라고 전망했다.

한편, 삼성전자는 이날 인텔 코어 울트라 프로세서가 적용된 신규 ‘갤럭시북4’를 시장에 첫 공개했다. 지난 15일 관련 제품을 소개하기는 했으나 실물을 공개한 것은 이번 인텔 행사에서 처음이다. 그만큼 두 기업의 협업이 얼마나 견고한지를 알 수 있는 대목이다.