반도체

네패스, 국산화한 HBM용 도금액 본격 양산 돌입

디지털데일리 발행일 2024-04-04 06:00:00
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고성현 기자
[ⓒ네패스]
[ⓒ네패스]

[디지털데일리 고성현 기자] 네패스가 2년 간 국산화에 주력한 고대역폭메모리(HBM)용 도금액을 본격 양산, 고객사 납품에 돌입한다.

네패스 전자재료 사업부는 반도체 도금액이 HBM용 실리콘관통전극(TSV) 공장에 채택, 올해부터 양산을 시작한다고 3일 발표했다.

이번에 양산할 도금액은 미세공정용으로 DDR5 이후 제품과 HBM에 사용되는 제품이다. 성능과 공정성, 제품 균일성이 우수해 10나노미터(㎚) 이하 미세공정에 특화됐다는 게 회사 측 설명이다.

회사는 올해 도금액 매출을 450억원으로 예상하며, 매년 30~40% 이상 성장할 것으로 기대하고 있다. 이에 따른 네패스 전자재료 사업부의 올해 예상 매출은 950억원, 2026년 예상 매출은 1900억원 규모다.

네패스는 도금액과 함께 핵심 기능성 재료인 포토센시티브 폴리이미드(Photosensitive Polyimide, PSPI)도 준비하고 있다. 이와 관련 화학연구소와 오랜 협업으로 1차 개발을 완료했고, 고객 제품 특성에 맞춘 조율을 진행 중이다.

네패스 측은 "층간 절연물질인 PSPI 재료는 고온용(375℃)과 저온용(200℃)으로 나뉜다. 특성이 좋은 저온 제품을 중심으로 대만 몇개 업체에 샘플을 제공하기 시작했고, 관련 효과가 나오기를 기대하고 있다"고 말했다.

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고성현 기자
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