로옴, TSMC와 GaN 전력반도체 개발·양산 전략적 협력

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디지털데일리 발행일 2024-12-10 10:00:54

고성현 기자

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 대표 마츠모토 이사오)이 대만 반도체 파운드리 TSMC와 차량용 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발과 양산에 대한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다.

로옴은 이번 파트너십으로 자사의 GaN반도체 개발 기술과 TSMC의 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합, 고전압·고주파 특성이 우수한 전력 디바이스에 대한 수요 증가에 대응할 계획이다.

GaN 전력반도체는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등에 사용되고 있다. TSMC는 전기차의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등 차량용으로의 환경 효과를 전망하고 관련 기술을 강화하고 있다. 로옴은 지난해 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용해 자사 전력반도체 브랜드인 'EcoGaN' 시리즈 일부 등에 활용한 바 있다.

아즈마 카츠미 로옴 이사 전무 집행 임원은 "세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각한다"며 "이번 파트너십과 더불어 GaN 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공, 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것"이라고 말했다.

Chien-Hsin Lee TSMC 스페셜티 기술 사업 개발 수석 디렉터는 "TSMC의 고도 반도체 제조 기술과 로옴의 파워 디바이스 설계 기술을 융합해 GaN 기술의 한계를 뛰어넘어 전기차로의 탑재를 추진해 나갈 것"이라고 말했다.

고성현 기자

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