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[컨콜] SK하이닉스 "1c 나노 양산 준비 끝…HBM4E에 적용"

디지털데일리 발행일 2025-01-23 10:02:44
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배태용 기자
[ⓒSK하이닉스]
[ⓒSK하이닉스]


[디지털데일리 기자] SK하이닉스가 1c 나노 기반 D램 개발을 완료하고 양산 준비에 돌입했다.

SK하이닉스는 23일 열린 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난해 하반기 1c 나노 제품의 개발을 완료하고 양산성을 확보했다"며 "1c 나노 기반 어떤 DDR5 제품은 초당 최대 9.2Gbps의 동작 속도를 지원하며, 이전 세대 대비 28% 성능이 향상됐다. 전력 효율 또한 9% 이상 개선됐다"고 밝혔다.


1c 나노는 공정 기술에서 세대별 미세 공정의 기준을 나타내는 용어로, 기존 1세대 나노(1a, 1b)에 이어 등장한 차세대 공정이다. 이 기술은 데이터를 더욱 빠르게 처리하고, 전력 소모를 줄이는 데 최적화된 특성을 가진 것이 특징이다. SK하이닉스는 해당 기술을 통해 제품 성능을 대폭 향상시키고, AI와 고성능 서버 시장에서 경쟁력을 강화하고자 한다.

특히 SK하이닉스는 1c 나노 공정을 차세대 HBM4E 제품에 적용할 계획이다. "우수한 성능과 안정적인 초기 수요를 바탕으로 HBM4E와 같은 차세대 HBM 제품의 적기 개발과 공급을 통해 시장 리더십을 유지해 나가겠다"고 밝혔다.

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배태용 기자
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