반도체

하이닉스, 40나노급 2Gb DDR3 인텔 인증

디지털데일리 발행일 2009-11-20 10:26:27
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한주엽 기자

[디지털데일리 한주엽기자] 하이닉스반도체(www.hynix.co.kr 대표 김종갑)는 자사 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램이 인텔 인증을 획득했다고 20일 밝혔다.

 

인증 받은 제품은 2기가비트 DDR3 D램 단품, 노트북용 4기가바이트(GB) 모듈(SODIMM), 데스크탑용 2기가바이트 모듈(UDIMM)이다.

 

이들 제품은 40나노급 미세공정 기술이 적용돼 기존 50나노급 대비 생산성이 60% 이상 높아졌다고 회사 측은 밝혔다.

 

1.5V 또는 1.35V 저전압과 1333Mbps의 데이터 전송 속도를 구현했고 최대 1867Mbps의 데이터 전송속도로 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 2~3편에 해당되는 초당 3.7GB의 데이터를 처리할 수 있다.

 

하이닉스 마케팅본부 김지범 전무는 “현재 시장의 주력 제품은 1기가비트 제품에서 고성능 서버를 중심으로 2기가비트 제품으로 빠르게 전환되고 있다”며 “연내 서버용 모듈(RDIMM)등의 제품도 인증을 완료해 1기가비트 및 2기가비트 제품 모두에서 업계 최고 성능을 확보할 것”이라고 밝혔다.

 

하이닉스는 내년 연말까지 전체 D램 생산량의 70%까지 DDR3 비중을 확대하는 한편, DDR3 제품 중 2기가비트 제품을 약 40%가량 생산할 계획이다.

 

한편 인텔 인증은 인텔 기반 컴퓨팅 시스템에서 D램이 정상적으로 동작하고 호환성을 갖는지 검증하는 것으로 인증이 완료된 제품에 한해 인텔의 기술지원을 받을 수 있다.

 

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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