[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현)는 이달부터 10나노급 128기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리를 본격 양산한다고 11일 밝혔다.

삼성전자는 작년 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한 바 있다. 5개월 만에 용량을 두 배로 늘린 것. 회사 측은 대용량 eMMC, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 업계 최대의 대용량 메모리 스토리지 라인업을 더욱 강화할 수 있게 됐다고 설명했다.

이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit 멀티레벨셀(MLC) 설계를 기반으로 토글(Toggle) DDR 2.0의 고속 인터페이스가 적용된 고성능 제품이다. 10나노급 128Gb 3bit MLC는 20나노급 64Gb MLC 대비 2배 이상 생산성이 높아 회사 수익 창출에도 기여할 전망이다.

삼성전자는 지난 2010년 양산 개시한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품을 2012년 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시킨 바 있다. 또한 대용량 메모리 스토리지 가운데 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시 시장은 64Gb 3bit MLC 낸드플래시 시장으로 빠르게 전환되어 왔다.

올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시가 128GB 메모리 카드 시장과 500GB이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 크게 기여할 것으로 전망된다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “이번에 고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화시키게 됐다”며 “향후에도 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr