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파나소닉, 업계 최초 Re램 양산… MCU 임베디드 메모리로 탑재

디지털데일리 발행일 2013-08-01 10:03:34
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한주엽 기자

[디지털데일리 한주엽기자] 일본 파나소닉이 업계 최초로 저항변화메모리(Re램)를 양산한다. Re램은 전기적 저항 특성이 외부 전압이나 전류에 따라 변화하는 원리를 이용한 비휘발성 메모리다. 낸드플래시의 속도 및 대용량화 한계를 모두 극복할 수 있고 전력소모량 역시 낮출 수 있는 차세대 메모리로 알려져 있다.

파나소닉은 그간 국제고체회로학회(ISSCC) 등을 통해 Re램의 연구개발(R&D) 성과를 공개해왔었다. 메모리 전문 업체보다 더 빨리 Re램을 양산하게 된 이 회사는 주력 제품인 마이크로컨트롤러유닛(MCU)에 Re램을 내장, 상용화한다는 계획이다.

1일 관련 업계에 따르면 파나소닉은 Re램을 메모리로 탑재한 8비트 저소비전력 MCU MN101LR 시리즈를 이달부터 본격 양산한다고 밝혔다. 이 제품은 휴대용 의료기기나 방범 등을 위한 보안 장비 등에 탑재될 것이라고 회사 측은 설명했다.

신제품에는 180나노 제조공정이 적용된 64KB 용량의 Re램이 탑재된다. Re램의 양산은 물론, MCU에 내장되는 건 이번이 첫 사례다. 플래시 메모리가 탑재되는 기존 MCU는 섹터 단위로 데이터를 관리하므로 다시 쓰기 위해 상대적으로 긴 시간과 많은 전력이 필요했다. Re램은 바이트 단위로의 갱신이 가능해 속도와 전력소모량이 줄어드는 것이 특징이라고 회사 측은 설명했다. 파나소닉 측은 “Re램은 안정적인 고속 쓰기가 가능하므로 산업 용도 등에 최적"이라고 말했다.

회사는 향후 Re램을 전자여권 등에 탑재되는 비접촉 IC 카드와 웨어러블 제품 등으로 응용 분야를 확대할 계획이라고 밝혔다. 업계 관계자는 “메모리가 전문이 아닌 반도체 업체들도 차세대 메모리에 관한 R&D를 꾸준히 하고 있다”라며 “이들은 MCU 등 자사 시스템반도체에 차세대 메모리를 내장시키겠다는 목표를 갖고 있다”라고 말했다.

유럽 반도체 업체인 ST마이크로는 연내 90나노 상변화메모리(P램 혹은 PC램, Phase Change Random Access Memory)를 내장한 MCU를 선보일 계획이다. P램은 물질의 상(相) 변화로 동작하는 차세대 메모리. 물질의 상이 비결정에서 결정질로 변할 때 1비트를 얻는 방식으로 동작한다. 비휘발성이면서도 데이터 처리속도가 빠르고 내구성이 높은 것이 특징이다. ST는 이 제품으로 MCU의 데이터 신뢰도를 높이겠다는 계획이다.

한편 전문 메모리 반도체 업체들도 Re램에 관한 성과를 그간 학회 등을 통해 두루 공개한 바 있다. 이들이 발표한 성과물은 보다 용량이 크고 생산 공정 역시 미세화돼 있다.

도시바와 샌디스크는 올해 초 ISSCC에서 24나노 공정이 적용된 32기가비트(Gb) Re램의 개발 성과를 발표했다. 삼성전자도 올해 초 열린 국제전자소자회의(IEDM)에서 Re램을 3D 적층 방식으로 설계, 용량을 확대한 ‘VReRAM’의 개발 성과를 공개한 바 있다. SK하이닉스는 미국 HP와 Re램을 공동 개발하고 있다.


<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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