28일 김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장(사장)은 “주요 D램 업체들의 보수적 투자 기조가 이어지는데다 기술 전환에 따른 자연적 생산 감소분으로 수급 상황은 안정적일 것”이라며 “낸드는 1x 공정 전환, 3D 제품 도입 등으로 수급에 부담이 생길 수도 있으나 균형을 이루려는 공급 업체의 노력 역시 지속돼 이를 상쇄할 것”이라고 말했다.

SK하이닉스 역시 공격적 물량 증대는 없을 것이라고 못을 박았다. 김 사장은 “올해는 수익성 중심의 경영을 강화하는 등 질적 성장에 주력할 것”이라고 말했다.

박래학 상무는 “올해 시장의 비트그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)는 D램이 20% 중반 성장, 낸드가 40%를 약간 넘는 성장을 이룰 것으로 본다”라며 “SK하이닉스는 시장과 ‘동등한 성장’을 추구한다”라고 말했다. 다만 “D램의 경우 우시 공장 화재로 인한 (작년 하반기 출하량 축소)기저효과로 시장 성장보다는 클 것으로 보고 있다”라고 설명했다.

박 상무는 “당초 올해 D램 시장 규모를 전년(350억달러) 대비 소폭 줄어든 330억달러로 내다봤지만 1분기 가격이 예전보다 나쁘지 않은 것으로 미루어 전년 대비 성장할 수 있을 것으로 보고 있다”고 덧붙였다.

SK하이닉스는 프리미엄 스마트폰 성장세 둔화로 전체 모바일 D램 제품군의 수요 성장세는 작년 대비 둔화될 것으로 내다봤다. 그러나 기업 PC 수요 회복 및 윈도 XP 지원 종료에 따른 교체 수요 증가로 PC 시장의 역성장세는 전년 대비 개선될 것으로 전망했다. 낸드플래시도 스마트폰 성장세 둔화에 영향을 받을 것으로 예상되지만 고용량 제품 증가 및 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 출하량 확대로 전년과 비슷한 성장을 이룰 것으로 회사 측은 관측했다.

SK하이닉스는 올해 본격적으로 양산되는 20나노 중반급 D램 제품에서 PC와 모바일 제품 사이의 공급시기 격차를 줄이고, 모바일 D램의 라인업을 확대할 예정이다. 또한 서버에서 채용이 시작되는 DDR4의 적기 샘플 공급과 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory) 제품 출시로 업계 선두 D램 기술 경쟁력을 유지한다는 계획이다. 낸드플래시는 16나노 제품의 본격적인 양산과 함께 컨트롤러 역량 향상을 통해 응용복합 제품의 라인업을 강화할 계획이다. 아울러 3D 낸드플래시 개발을 완료하고 샘플 공급을 시작해 연내 양산 체제를 갖춘다는 방침이다.

화재 사고가 났던 중국 우시 공장은 완벽 복구가 이뤄졌다. 김 사장은 “우시 공장은 지난 11월말 웨이퍼 투입 기준 정상화가 이뤄졌고 지금은 생산 기준으로 정상 수준까지 올라왔다”며 “이에 따라 1분기 D램 출하량은 화재 전 수준으로 회복, 전 분기 대비 20% 증가할 것”이라고 말했다. 아울러 “D램 생산으로 전환했던 낸드 캐파도 다시 전환을 시작해 1분기 말에는 화재 전 수준이 될 것”이라며 “출하량은 한 자릿수 중반 성장이 예상된다”고 말했다. SK하이닉스는 우시 공장 화재 복구 비용으로 작년 3분기 2000억원, 4분기 2500억원을 썼지만 보험 수익으로 대부분 상쇄될 수 있을 것이라고 강조했다.

올해 시설투자에는 작년 대비 확대된 최대 4조원을 쓸 예정이다. 작년 시설투자액은 우시공장 복구비용 5000억원 가량을 포함한 3조5600억원 수준이었다. 김 사장은“올해는 이천 공장의 신규 D램 클린룸 건설 등으로 작년 대비 시설투자비는 다소 증가할 것”이라고 말했다. 그는 “작년 투자 비중은 D램 60%, 낸드 40%였다”며 “D램 70%, 낸드가 30% 비중을 차지할 것”이라고 말했다.

이날 SK하이닉스는 작년 매출 14조1650억원, 영업이익 3조3800억원, 순이익 2조8730억원을 기록했다고 발표했다. 연간 영업이익률은 24%, 순이익률은 20%였다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr