반도체

ASML, EUV 노광장비 웨이퍼 처리량 ‘24시간, 500장 이상’ 달성

디지털데일리 발행일 2014-08-01 10:14:42
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한주엽

[디지털데일리 한주엽기자] 네덜란드 반도체 노광(포토리소그래피) 장비 업체인 ASML은 극자외선(EUV) 노광장비인 NXE:3300B이 24시간 이내 500장 이상 규모의 웨이퍼를 처리할 수 있다고 1일 밝혔다. 회사는 “고객사로부터 이 같은 성능을 확인받았다”라고 설명했다.

노광은 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 반도체 제조 공정을 뜻한다. 현재 20~40나노대 반도체 제조 공정에서 사용되는 노광 장비는 193nm 레이저 파장을 갖는 불화아르곤(ArF)에서 한 단계 발전한 이머전 ArF다. 반도체 회로 선폭을 10나노대로 줄이려면 파장이 보다 짧은 EUV 노광 장비가 필수적이다. EUV는 파장이 13.5nm인 극자외선을 활용해 보다 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 형성할 수 있다.

다만 현재까지 나와있는 EUV 노광 장비는 광원 에너지 부족으로 웨이퍼 처리량이 양산 라인에 깔려 있는 이머전 장비 대비 현저히 떨어진다. 반도체 소자 업계에선 시간당 100장, 24시간 이내 2400장 이상의 웨이퍼를 처리할 수 있어야 EUV 장비를 양산 라인에 적극적으로 적용할 수 있다는 견해를 내놓고 있다. ASML은 장기 개발 로드맵 발표를 통해 2016년 경에는 EUV 노광 장비가 시간당 125장의 웨이퍼를 처리할 수 있을 것이라고 자신한 바 있다.

피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO)는 “1일 637장 규모의 웨이퍼를 처리해낼 수 있게 됐다”라며 “올해 말에는 고객사가 하루 생산량으로 요구하는 500장 규모 이상으로 운영이 가능할 것”이라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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