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인텔과 마이크론이 ‘3D X(크로스)포인트’ 메모리를 탑재한 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시제품을 공개하며 데이터를 읽고 쓰는 속도가 굉장히 빠르다고 강조했다. 인텔은 추후 이 제품으로 SSD 시장 1위인 삼성전자와 한판 승부를 벌일 계획인 것으로 보인다.

18일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 인텔개발자포럼(IDF) 2015에서 인텔은 3D X포인트 메모리를 탑재한 PCI익스프레스(PCIe) 인터페이스 SSD ‘옵테인(Optane)’의 동작 데모를 공개했다. 이에 따르면 옵테인 SSD의 임의 읽기 테스트 수치는 70만 아이옵스(input output per second, IOPS), 임의 쓰기 수치는 40만 아이옵스에 달했다. PCIe 인터페이스를 채용한 낸드플래시 SSD인 인텔 DC P3700(임의 읽기 10만, 임의 쓰기 7만아이옵스) 시리즈와 비교하면 속도가 5배에서 7배 빠르다고 회사 측은 강조했다. 아이옵스는 메모리의 초당 임의 읽기, 쓰기 속도를 측정하는 방식으로 시스템 성능을 크게 좌우하는 수치다.

인텔은 옵테인 SSD를 내년부터 양산한다는 계획이다. 초기에는 빅 데이터 처리 및 의료 분야 등 엔터프라이즈 시장을 주로 공략한다. PCIe 인터페이스의 SSD와 함께 DIMM(Dual In-line Memory Module) 슬롯에 바로 꽂아 사용할 수 있는 모듈 형태의 제품도 출시가 예정돼 있다. 인텔은 자사 서버용 마이크로프로세서인 제온과 옵테인을 묶음 상품으로 판매할 것이라고 밝혔다. 추후 노트북 등으로 적용 범위를 확대해 나갈 계획이다.

3D X포인트, 차세대 메모리 기술 가운데 P램에 가까워

옵테인에 탑재되는 3D X포인트 메모리는 인텔과 마이크론이 공동으로 개발했다. 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 특성을 갖고, 대용량 구현 역시 용이하다. 이 같은 여러 특성은 낸드플래시와 동일하지만, 성능은 훨씬 좋다고 인텔과 마이크론은 강조하고 있다. 양사 발표에 따르면 데이터에 접근하는 시간은 기존 낸드플래시 대비 1000배 빠르고, 재기록 횟수를 나타내는 내구성은 1000배 높다. 인텔과 마이크론은 기존 20나노 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 공정 기술을 활용해 3D X포인트 메모리를 양산할 예정이다.

양사는 3D X포인트 메모리를 이루는 주요 물질 정보와 구동 메커니즘은 공개하지 않고 있으나 업계에선 P램(Phase Change RAM)의 일종인 것으로 보고 있다. P램은 상(相) 변화 물질에 전류를 가하면 물질의 일부분이 결정질에서 비결정질로 변하고, 이에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1로 정보를 구분한다. P램은 기존 CMOS 공정을 그대로 사용하기 때문에 생산 공정 전환에 큰 어려움이 없다. P램 기술은 삼성전자와 SK하이닉스도 이미 국제 반도체 학회 등에서 연구개발(R&D) 성과를 두루 공개한 바 있다. 삼성의 경우 이미 수년 전 휴대폰용으로 양산을 한 적이 있다.

<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com