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일본 도시바가 미국 원자력 발전소 사업에서 입은 7000억엔(약 7조1300억원)의 손실을 메우기 위해 스토리지&디바이스 솔루션 자회사에서 메모리 사업부문을 분사한다고 발표했다. 2015년 4월 발생한 분식회계 사건에 원전 사업의 손실이 겹쳐지면서 나타난 결과다.

도시바는 2015년 12월에도 수익성 확보 차원에서 CMOS 이미지센서(CIS) 사업을 소니에 매각한 바 있다. 당시 소니가 매입한 금액은 190억엔(약 1900억원)으로 전체 사업부에서 차지하는 비중은 크지 않으나 디지털일안반사식(DSLR) 카메라를 비롯해 자동차용 CIS에서 상당한 자산을 축적하고 있었다는 점에서 파급력이 적지 않은 것으로 예상됐었다.

이번 메모리 사업부문 분사도 마찬가지다. 도시바는 낸드플래시 시장에서 상당한 영향력을 가지고 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 도시바는 낸드플래시 시장에서 삼성전자에 이어 매출(3분기 기준, 2조3000억원), 점유율(19.8%)에서 2위를 달리고 있다. 1위와 격차가 있지만 그래도 3위 이하인 마이크론이나 SK하이닉스보다 여유롭게 앞서 있다.

다만 3D 낸드플래시 경쟁에서 점차적으로 뒤처지는 모습을 보이고 있다. 오는 2018년까지 8000억엔(약 8조3000억원)을 들여 낸드플래시 사업에 투자하기로 결정한 상태다. 일단 3600억엔(약 3조7000억원)을 들여 일본 미에현 요카이치 지역에 공장을 새로 짓는다. 여기에는 작년 3D 낸드플래시를 양산하기 위한 신규 팹2 공장이 건설 중이었다.

하지만 원전 사업에서의 대규모 손실로 연구개발(R&D)과 시설투자(CAPEX)에 필요한 자금을 제때 조달에 빨간불이 켜졌다. 도시바는 메모리 사업부문을 분사한다고 발표하면서 “BiCS 플래시 개발을 촉진하기 위해 많은 투자가 필요하다고 판단, 빠르고 공격적으로 경영제체는 물론 자금조달이 필요하다”고 설명했다.

도시바의 3D 낸드플래시는 BiCS(Bit Cost Scalable 축소 가능한 비트당 가격)로 불리며 48단 제품이 주력이다. 삼성전자가 주력하고 하고 있는 차지 트랩 플래시(Charge Trap Flash, CTF) 방식과 엇비슷하지만 적층 수 자체를 높이는데 초점이 맞춰져 있어 수율에 다소 불리한 것으로 전해져 있다.
도시바가 적층 수를 강조하는 이유는 세대(적층 수)가 높을수록 원가절감에 유리하기 때문이지만, 삼성전자와 비교해 적층 수를 높이는 것 자체는 성공했을지 몰라도 실제 제품화시켜 시중에 유통시키지는 못하고 있다.

한편 삼성전자는 내년부터 가동되는 평택 공장(18라인)에서 4세대 3D 낸드플래시를 양산할 계획이다. 17라인 2단계 투자에 따라 관련 설비반입도 이뤄지고 있다. SK하이닉스는 이천 M14 2층을 3D 낸드플래시를 염두에 두고 있으며 내년 비중도 50%로 끌어올릴 계획이다. 인텔은 6월부터 중국 다롄에서 2세대 3D 낸드플래시 양산에 들어간 상태이고 마이크론의 경우 지난해 여름부터 싱가포르 공장에 웨이퍼 투입이 이뤄졌다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr