- 삼성전자·SK하이닉스 이어 세 번째 적용

[디지털데일리 김도현 기자] 대만 난야테크놀로지(이하 난야)가 D램 생산능력(캐파) 확대에 나선다. 관련 시장 호황으로 대규모 투자를 단행하기로 했다.

20일(현지시각) 난야는 3000억대만달러(약 11조9500억원)를 투입해 D램 공장을 증설한다고 밝혔다. 위치는 대만 북부 신베이시 과학단지다.

올해 말 착공해 2023년 완공, 2024년 양산 목표다. 신공장 캐파는 웨이퍼 기준 월 4만5000장이다.

난야는 해당 공장에 극자외선(EUV) 장비를 투입할 계획이다. EUV는 현재 보편화된 불화아르곤(ArF) 대비 약 13배 짧은 파장으로 미세 공정을 구현할 수 있는 기술이다.

업계 1위 삼성전자와 2위 SK하이닉스는 4세대 10나노미터(nm)급(1a) D램부터 EUV 공정을 활용하기로 했다. 4위 난야가 3위 미국 마이크론보다 EUV를 먼저 도입하게 됐다.

당초 EUV는 반도체 수탁생산(파운드리) 업계에서 쓰였다. 대만 TSMC와 삼성전자가 주도했다. 메모리의 회로 간 선폭이 급격히 줄면서 D램에서도 EUV 도입 필요성이 제기됐다. D램은 낸드플래시와 달리 적층이 어려워 선폭을 줄여 성능 및 효율을 높여야 한다.

리페이잉 난야 사장은 “메모리 빅3와 기술 격차가 있지만 선단 공정이 적용되는 신공장을 통해 차이를 좁혀나갈 것”이라고 설명했다.

이번 대규모 투자에는 D램 상승세도 영향을 미친 것으로 보인다. 최근 PC와 서버 시장 활성화로 관련 업체가 D램 구매를 대폭 늘린 덕분이다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 2분기 D램 평균판매가격(ASP)은 전기대비 18~23% 오를 전망이다. 수요 증가에 따른 결과로 기존 추정치 대비 5%포인트 오른 수준이다. PC용 D램과 서버용 D램은 같은 기간 각각 23~28%, 20~25%의 가격 증가가 예상된다.

한편 삼성전자와 SK하이닉스도 D램 캐파 증대를 진행 중이다. 각각 경기 평택 P2, 경기 이천 M16 생산라인을 구축하고 있다. 이곳에서 EUV 기반 차세대 D램도 생산된다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr