반도체

낸드 업계 ‘장군멍군’…SK하이닉스, 세계 최초 238단 낸드 개발

윤상호
- 176단 낸드보다 크기 줄여…생산성 34% 향상
- 샘플 공급 개시…2023년 상반기 양산


[디지털데일리 윤상호 기자] SK하이닉스가 낸드플래시 메모리반도체 단수 경쟁에서 다시 우위에 올라섰다. 세계 최초 238단 낸드를 공개했다. 마이크론테크놀로지가 232단 낸드를 발표한지 1주일만에 선두를 탈환했다.

SK하이닉스(대표 박정호 곽노정)는 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 밝혔다. 이날 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시메모리서밋(FMS)’에서 제품을 선보였다.

SK하이닉스는 238단 512기가비트(Gb) 트리플레벨셀(TLC) 4차원(4D) 낸드 샘플을 고객사에 공급 중이다. 양산은 내년 상반기다. 176단 낸드를 개발한지 1년 7개월 만에 차세대 제품을 선보였다.

낸드는 정보저장용 반도체다. 단수가 올라가면 같은 용량의 제품을 구현하더라도 크기가 작아진다. 낸드 제조사는 생산성 향상 고객사는 제품 소형화에 유리하다. TLC는 1개 셀에 3개 정보(비트 단위)를 저장할 수 있는 제품을 지칭한다. 싱글레벨셀(SLC) 멀티레벨셀(MLC) 제품 대비 같은 면적에 더 많은 데이터를 담을 수 있다.

최정달 SK하이닉스 부사장은 “4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 ▲원가 ▲성능 ▲품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”라며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 말했다.

4D 낸드는 SK하이닉스의 3차원(3D) 낸드 차별화 명칭이다. ▲CTF(Charge Trap Flash) ▲PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했다. CTF는 셀 간섭 해결 기술이다. 면적이 줄어도 읽기 쓰기 성능을 높일 수 있다. PUC는 주변부 회로를 셀 하단에 배치해 생산 효율을 높이는 기술이다.

이번에 개발한 제품은 176단 낸드 대비 생산성을 34% 개선했다. 1장의 웨이퍼에서 만들 수 있는 낸드 양이 늘어났다. 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb다. 176단 낸드 대비 50% 빨라졌다. 에너지 사용량은 21% 감소했다.

SK하이닉스는 PC 저장장치로 쓰는 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)용 제품을 먼저 출시할 예정이다. 스마트폰용과 서버용은 이후다. 용량을 2배 키운 1테라비트(Tb) 238단 낸드도 내년 출고 계획이다.
윤상호
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