- LPDDR5X 다음 버전 ‘LPDDR5T’…동작 속도 13% 개선

[디지털데일리 김도현 기자] SK하이닉스가 2달 만에 신형 모바일용 D램을 개발했다. 메모리 시장 부진에도 기술력 강화를 게을리하지 않는 분위기다.

25일 SK하이닉스(대표 박정호 곽노정)는 최신 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’ 샘플을 고객사에 제공했다고 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X 성능을 업그레이드한 제품이다. 회사에 따르면 신제품 동작 속도는 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)까지 높였다.

최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 회사는 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보’를 붙여 제품명을 자체 명명했다. LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다.

참고로 LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 전력 소모량 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 가진다. 현존 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발 중이다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 처음 개발한 버전으로 8세대 LPDDR6가 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X 성능을 높인 제품이다.

SK하이닉스는 “초당 8.5기가비트(Gb) 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 두 달 만에 기술한계를 다시 한번 돌파했다”며 “이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 견고히 할 것”이라고 강조다.

최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16기가바이트(GB) 용량 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 전달했다. 해당 제품 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. sK하이닉스는 10나노미터(nm)급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 양산에 들어갈 계획이다.

한편 SK하이닉스는 LPDDR5T에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 고난도 기술이다. SK하이닉스를 HKMG를 LPDDR5X에서 처음 적용했다.

SK하이닉스 D램상품기획담당 류성수 부사장은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객 니즈를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임체인저가 될 것”이라고 말했다.