- HBM3 이어 HBM3E 선점 시도

[디지털데일리 김도현 기자] SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 초격차 지위를 유지하겠다는 의지를 드러냈다. 메모리 불황이 길어지는 가운데 차세대 제품 경쟁력을 강화해 미래 수요를 대비하려는 차원이다.

26일 SK하이닉스는 2023년 1분기 실적발표 및 컨퍼런스콜을 진행했다.

이 기간 SK하이닉스의 매출과 영업손실은 한국채택국제회계기준(K-IFRS) 연결기준 각각 5조881억원, 3조4023억원으로 나타났다. 매출은 전기대비 33.7% 전년동기대비 58.1% 떨어졌다. 영업이익은 전기대비 79.2% 줄고 전년동기대비 적자전환했다.

SK하이닉스는 “메모리 다운턴이 계속되면서 수요 부진과 제품 가격 하락 추세가 이어졌다”며 “그러나 1분기를 저점으로 점진적으로 판매량이 늘어나면서 2분기에는 매출 실적이 반등할 것으로 보고 있다”고 밝혔다.

연속 적자가 불가피한 상황에서 희망적인 부분도 있었다. 주요 고객의 메모리 재고가 감소한 점, 챗GPT 등 생성형 인공지능(AI) 시장이 열린 점 등이다.

SK하이닉스는 재고가 상대적으로 많은 제품 등에 대한 감산 정책은 유지하면서도 향후 경쟁력 유지를 위한 필수 투자는 단행하기로 했다. 대표적인 것이 HBM다.

HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발되고 있다. 해당 부문에서는 메모리 선두주자인 삼성전자보다 SK하이닉스가 한발 앞서는 분위기다.

SK하이닉스는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 최근에는 기존 대비 용량을 50% 높인 24기가바이트(GB) 패키지 제품을 개발했다. 현재 복수 고객사와 성능 검증을 진행하고 있다.

이날 SK하이닉스는 차기작 일정도 공유했다. SK하이닉스는 “데이터 전송률 5.6기가비피에스(Gbps)의 HBM3에 이어 올해 하반기 8GBPS의 5세대(HBM3E) 제품 샘플을 공급할 것”이라며 “내년 상반기부터 양산할 예정”이라고 전했다. 현실화하면 또 업계 최초다.

HBM 관련 매출은 매년 50% 성장하는 추세다. SK하이닉스는 상승세를 지속하기 위해 양과 질 모두 확장할 방침이다.

SK하이닉스는 “선제적 투자로 설계 및 생산능력을 갖췄다. 글로벌 시스템온칩(SoC) 리더들, 잠재고객인 클라우드 업체들과 긴밀한 협업도 이어가는 중”이라며 “HBM 적층 과정에서 생기는 방열 문제는 특화 기술을 바탕으로 해결했다”고 설명했다.