[디지털데일리 김문기 기자] ST마이크로일렉트로닉스는 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 지원하는 ST 최초의 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다고 11일 발표했다.

이 드라이버는 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 탁월한 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 효율성이 필요한 애플리케이션에서 크기를 줄이고 부품원가(BoM)를 절감해준다.

이 단일 채널 드라이버는 최대 1200V 또는 STGAP2GSN 협폭(narrow-body) 버전의 경우 1700V의 고전압 레일에 연결할 수 있다. 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있기 때문에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환을 보장한다.

STGAP2GS는 절연 장벽 전반에 걸쳐 전파 지연을 최소화해 단 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다. 또한, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공함으로써 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다.

STGAP2GS는 싱크 및 소스 핀을 별도로 사용할 수 있어 게이트 구동 동작 및 성능의 간편한 조정이 가능하다. 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따로 필요하지 않기 때문에 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에서 효율적이고 견고한 GaN 기술을 손쉽게 적용할 수 있다. 주요 애플리케이션으로는 컴퓨터 서버의 전원공급장치, 공장 자동화 장비, 모터 드라이버, 태양광 및 풍력 발전 시스템, 가전제품, 가정용 팬, 무선 충전기 등이 있다.

이 드라이버는 갈바닉 절연 기능의 통합 외에도, GaN 기술에 최적화된 열 차단 및 UVLO(Under-Voltage Lockout) 등 시스템 보호 기능도 내장해 신뢰성과 견고성을 보장한다.

2종의 데모 보드인 EVSTGAP2GS 및 EVSTGAP2GSN은 표준 STGAP2GS와 협폭 버전의 STGAP2GSN을 ST의 75mΩ, 650V 인핸스먼트-모드(enhancement-Mode) GaN 트랜지스터인 SGT120R65AL과 결합시켜 사용자가 드라이버 기능을 평가할 수 있도록 한다.

SO-8 와이드바디 패키지 기반 STGAP2GS와 SO-8 협폭 패키지 기반 STGAP2GSN은 현재 모두 이용 가능하며, 가격은 1,000개 구매 시 1.42달러이다.