[디지털데일리 배태용 기자] DB하이텍이 전력반도체 분야에서 경쟁력을 높이기 위해 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드, 사업을 본격화한다고 27일 밝혔다.

초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 다양한 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원하는 기술이다. 게이트 드라이버 IC 시장은 2022년부터 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망되고 있다.

DB하이텍은 공정 기술 업그레이드를 통해 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연 방식과 갈바닉(Galvanic) 절연 방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공할 방침이다.

이를 통해 고객들은 칩 설계가 쉽고 고전압 동작에서 안정성이 높은 게이트 드라이버 IC를 개발할 수 있으며, 그뿐만 아니라 공정의 활용도를 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장할 수 있게 된다.

DB하이텍은 지난 5월 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서(Compressor)에 적용할 수 있는 900V급 레벨 시프터를 제공한 바 있다. 또 칩 외부에 장치하던 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode)를 내장, 칩 크기를 줄이는 기술을 자체 개발⋅특허 출원해 차별화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공해 왔다.

DB하이텍은 "향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전 영역대에 대한 공정 기술을 확보하면서, 응용 분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것이다"라며 "구체적으로는 2024년 1월 가전 분야에 최적화된 600V급 공정을 제공하고, 연내 전동킥보드 및 전기 스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 차례대로 확보하며 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화할 계획이다.