[디지털데일리 김문기 기자] 텍사스인스트루먼트(TI)코리아 (대표 박중서)는 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다고 6일 발표했다.

이 자리는. 하비브 일란 TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스 유타주 주지사를 비롯한 지역사회 주요 관계자들이 참석해 새로운 팹인 LFAB2의 착공식을 진행했다. LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합하여 운영될 예정이다. 두개의 TI 유타주 팹이 완공된 후에는 매일 수천만 개의 아날로그 칩과 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

일란 CEO는 “오늘 TI는 이곳 유타주에서 제조 역량을 한층 더 강화하는 중요한 발걸음을 내디뎠다. 이번에 신설되는 팹은 고객들의 수요에 대응하고 자체 제조 역량을 구축하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일환”이라며, “TI의 열정은 반도체를 통해 더 합리적인 가격의 전자 제품으로 더 나은 세상을 만드는 것이다. 유타주 지역사회의 성장하는 일원으로서 오늘날 대부분의 모든 전자 시스템에 필수적인 아날로그 및 임베디드 프로세싱 반도체를 제조하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”고 말했다.

TI는 지난 2월에 유타주에 110억 달러 투자 계획을 발표했다. LFAB2 건설로 약 800개의 TI 임직원 고용 효과 및 수천 개의 간접적인 일자리가 창출될 것으로 전망되며, 이르면 2026년에 첫 생산이 가능할 것으로 예상된다.

스펜서 콕스 유타주 주지사는 “TI가 유타주에서 제조 역량을 확장함으로써 핵심적인 기술을 제조할 수 있는 수백 개의 일자리를 창출하는 등 유타주를 혁신적으로 변화시는 데 도움을 줄 것”이라며, “유타주의 주민들이 유타에서 생산할 반도체로 미국 경제와 국가 안보의 근간이 되는 혁신 동력의 역할을 다하게 되어 자랑스럽다”고 말했다.

LFAB2는 유타주 리하이에 위치한 LFAB1, 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리처드슨의 RFAB1 및 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300mm 웨이퍼 팹을 보완하는 역할을 하게 된다. 또, TI는 텍사스주 셔먼에 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹(SM1, SM2, SM3, SM4)을 건설 중이며, 이르면 2025년에 첫 번째 팹이 첫 생산을 시작할 예정이다.

한편, TI의 생산 확대를 위한 투자는 반도체 및 과학법(칩스법) 지원을 받을 것으로 예상되며, 아날로그 및 임베디드 제품의 안정적인 공급을 보장한다.