반도체⋅부품 관련 정책 동향과 현장의 목소리를 전달하기 위해 한 주 동안 열심히 달린 <소부장반차장>이 지난 이슈의 의미를 되새기고, 차주의 새로운 동향을 연결해 보고자 주간 보고서를 올립니다. <반차장보고서>를 통해 한 주를 정리해보시길 바랍니다. <편집자주>

미소짓는 SK하이닉스, 불안한 삼성전자…반도체 3Q 실적에 쏠린 이목

3분기 실적 발표가 눈앞까지 다가오면서 국내 양대 반도체 기업인 삼성전자와 SK하이닉스의 성과에 관심이 쏠리고 있다. SK하이닉스가 엔비디아로 납품하는 고대역폭메모리(HBM) 열풍에 힘입어 고실적을 유지할 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자가 비메모리 부문 실적 악화로 인한 상대적 둔화 가능성이 제기되고 있다.

7일 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 SK하이닉스의 3분기 실적 컨센서스는 매출 17조9978억원, 영업이익 6조7559억원으로 집계됐다. 지난해 4분기 흑자전환에 이어 매출, 영업이익이 지속 상승하는 흐름을 타고 있다는 분석이다. 이같은 흐름 따라 3분기 영업이익도 전분기 대비 약 23.5% 상승할 것으로 관측된다.

SK하이닉스의 실적 상승 흐름을 이끄는 주역은 단연 HBM이다. 지난해 시작된 인공지능(AI) 데이터센터 증설로 엔비디아의 GPGPU를 동반한 HBM 요구가 늘어나면서 관련 매출이 꾸준히 늘어나고 있다. SK하이닉스는 지난해 HBM3에 대한 엔비디아 독점 납품에 이어 올해 양산한 HBM3E 8단에서도 선두 공급망 지위를 확보한 상황이다. 또 지난달 HBM3E 12단 제품을 양산하기 시작하면서 올해 하반기부터 관련 매출이 발생할 것으로 기대받고 있다.

HBM 수요가 견조하게 유지되면서 상대적으로 수요가 약해진 범용 메모리 시장의 영향도 덜 받게 됐다. 범용 메모리는 AI에 집중된 투자와 상대적으로 더딘 IT제품 수요 반등 등으로 평균거래가격(ASP)이 하락하는 흐름이지만, HBM은 수주를 기반으로 범용 대비 3~5배 높은 가격을 형성하고 있어 안정적이라는 평가를 받는다.

반면 삼성전자의 예상 3분기 컨센서스는 매출 80조9003억원, 영업이익 10조7717억원으로 집계됐다. 증권가에서는 반도체(DS)부문 내 메모리사업부 실적이 매출 22~24조원, 영업이익 5~6조원 내외를 기록할 것으로 추산하고 있다.

현재 삼성전자 DS부문의 실적은 메모리가 견인하고 있다. 비메모리 부문인 파운드리사업부가 부족한 수주 실적에 따라 적자를 면하지 못하고 있고, 시스템LSI 역시 CMOS 이미지센서(CIS) 외 영역에서 부진한 모습을 보이고 있어서다. 이러한 예측대로 진행된다면 SK하이닉스와 삼성전자 DS부문 간 영업이익 격차가 최소 4000억원에서 최대 1조5000억원에 이를 것이라는 전망도 나온다.

삼성전자가 가장 많은 HBM 수요처인 엔비디아를 주력 고객사로 확보하지 못한 가운데, 범용 메모리 수요 반등 둔화가 격차 발생 가능성의 원인으로 꼽힌다.

머크, 안성 SOD 어플리케이션 센터 개소…로직 칩용 재료 개발 가속

머크(대표 김우규)는 10일 경기도 안성에 한국 SOD 어플리케이션 센터(KSAC)를 개소, 차세대 반도체 기술 개발 및 혁신을 위한 글로벌 R&D 허브 역할을 강화한다.

개소 행사를 위해 머크 본사 일렉트로닉스 비즈니스 카이 베크만 CEO, 박막 비즈니스 헤드인 슈레시 라자라만 수석 부사장외 리더십팀이 방한했다. 이외 김동연 경기도지사, 김보라 안성시장, 삼성전자 소재개발 박성준 부사장, SK 하이닉스 기반기술센터 소재개발 길덕신 부사장 등이 참석한다.

이번에 건립하는 센터은 머크가 아시아 지역의 높은 수요를 충족하기 위해 아시아에 설립한 두 번째 SOD어플리케이션 센터다. 이산화규소(SiO2) 필름에 코팅된 SOD 소재를 측정 및 분석할 수 있는 첨단 장비를 갖추고 다양한 기술 분야의 전문가들이 지원하는 머크의 글로벌 R&D 네트워크의 일부로 운영된다.

한국은 머크의 주요 투자 대상 국가 중 하나로, 2022년 말 '레벨 업' 성장 프로그램의 일환으로 지속적으로 생산 공간을 확장하고 R&D 및 혁신을 촉진하기 위해 2025년 말까지 약 6억 유로의 투자를 발표했고 현재까지 약 50%를 넘는 진행율를 기록하며 순조롭게 이행 중이다.

머크는 반도체 산업에서 가장 광범위한 소재 관련 솔루션 포트폴리오를 보유한 반도체 솔루션 선도 기업으로서 박막 기술 분야에서 원자층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD) 및 스핀온 절연막 (SOD)의 역량을 결합하여 생태계 내에서 독보적인 입지를 구축하고 있다. 이러한 소재는 차세대 DRAM 및 NAND 플래시 장치, AI 애플리케이션을 위한 고대역폭 메모리, 첨단 로직 칩 개발에 매우 중요하다.

전력 반도체 힘주는 'SK키파운드리'…"GaN 내년 하반기 양산·SiC 검토"

"GaN(질화 갈륨) 기반 양산은 내년 하반기를 예상하고 있습니다. SiC(실리콘 카바이드)의 경우 국내 한 업체가 8인치 웨이퍼를 개발 중인데, 시점을 맞춰 함께 차질 없이 준비하고 있습니다."

SK키파운드리 남정엽 TL은 10일 경기 성남에서 열린 반도체 팹리스 얼라이언스 행사에서 이같이 밝혔다. 이날 남 TL은 SK키파운드리의 GaN, SiC 기반 차세대 전력 반도체 기술과 주요 고객사 동향을 소개하며, 시장 내 입지를 더욱 강화해 나가겠다는 포부를 드러냈다.

남 TL은 "SK키파운드리는 변화하는 시장과 고객의 요구에 맞춰 다양한 공정을 제공하며 기술 혁신을 이어가고 있다"라며, "아날로그(Analog) 및 혼성신호시스템(mixed-signal), 전력 반도체(power), 비휘발성 메모리(NVM) 기술을 중심으로 0.35㎛, 0.18㎛, 0.13㎛의 공정을 제공하고 있다"라고 설명했다. 이를 통해 고객 맞춤형 솔루션을 제공하며 경쟁력을 강화하고 있다는 설명이다.

특히 이번 발표에서 남 TL은 GaN과 SiC 전력 반도체 기술이 SK키파운드리의 미래 핵심 기술이라고 강조했다. GaN은 고속 스위칭과 고전압이 필요한 전력 응용에 적합한 차세대 화합물 반도체로, 기존 실리콘 반도체 대비 전자 이동도가 높고 발열이 적다. 이를 통해 크기와 무게를 줄이면서도 더 높은 효율성을 제공할 수 있다.

남 TL은 "GaN은 전기차, 데이터센터 등 고효율이 요구되는 시장에서 특히 주목받고 있다"라며, "주요 전기차 업체와의 협력을 통해 양산 준비가 순조롭게 진행되고 있다"라고 전했다.

SiC는 고온, 고전력 환경에서의 뛰어난 안정성을 제공, 전기차 및 고전력 산업에 적합한 기술로 평가받고 있다. 남 TL은 "한 웨이퍼 업체와 협력으로 SiC 전력 반도체 양산을 위한 8인치 웨이퍼를 개발 중이며, 사업 추진을 검토하고 있다"라고 밝혔다. SiC는 특히 전기차 충전 시스템과 같은 고출력 응용에서의 수요가 급증하고 있다.

GaN과 SiC 반도체는 전기차와 데이터센터를 포함한 여러 고효율 응용 시장에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있다. 전력 반도체는 에너지 효율과 성능을 결정짓는 중요한 기술로, SK키파운드리는 이를 통해 고객사들과의 협력을 강화하고 있다.

DB하이텍, "GaN 반도체 양산 지연 불가피…보수적 접근 내후년"

"웨이퍼 기술 도입 과정에서 예상보다 시간이 더 소요되며, GaN(질화 갈륨) 반도체 양산 일정이 내년 하반기로 미뤄졌습니다. 이에 따라 일부 고객사와 협력 중인 제품의 양산이 1~2분기 지연되고 있습니다."

심천만 DB하이텍 상무는 19일 열린 반도체 팹리스 얼라이언스 행사에서 이같이 밝혔다.

GaN 전력 반도체는 DB하이텍의 차세대 전력 반도체 기술로, 고온 및 고전압에서 뛰어난 성능을 제공해 전기차 충전 시스템, 데이터센터, 에너지 저장 장치 등 다양한 응용처에서 수요가 높다.

GaN 기술은 특히 고속 스위칭, 고전압 환경에서 기존 실리콘(Si) 반도체를 대체하는 핵심 기술로, 전력 관리 시스템, 무선 충전, 통신기기 등 다양한 분야에서 활용될 예정이다. DB하이텍은 이를 통해 전력 반도체 포트폴리오를 확장하고, 글로벌 시장에서 경쟁력을 강화할 계획이다.

심 상무는 "개발 과정에서 웨이퍼의 기술적 도전으로 인해 일정이 지연됐으나, 고객사와의 협력을 통해 이르면 내년 하반기부터 양산이 본격화될 것"이라며 "공정을 평가하고 납품까지는 시간이 필요하다 보니, 보수적으로 내후년 초까지도 지연될 가능성은 있다. 기술적 완성도를 높이는 데 주력하고 있다"고 설명했다.

DB하이텍은 충북 음성의 상우 팹(Fab)에서 GaN 반도체 생산을 위한 핵심 장비인 MOCVD 장비를 올해 3분기 중 반입했으며, 공정 셋업을 완료한 후 내년 양산에 돌입할 예정이다. MOCVD 장비는 GaN 웨이퍼 제조에 필수적인 장비로, 이를 통해 GaN 반도체 양산이 안정적으로 이뤄질 예정이다.

양산 일정이 지연됐음에도 DB하이텍은 이를 기술적 도전으로 받아들이고 있으며, 고객 맞춤형 공정 제공을 통해 장기적으로 기술적 경쟁력을 확보하는 데 집중하고 있다.

그는 끝으로 그는 "잠재적 고객사들은 서버, 충·방전 시스템도 있고 그다음에 어댑터, 모바일 등 전반적으로 모두가 해당한다고 보면 된다"라며 준비만 되면 모든 업체가 사실은 사용할 그런 의향을 갖고 있다"라고 전했다.