[디지털데일리 배태용 기자] "웨이퍼 기술 도입 과정에서 예상보다 시간이 더 소요되며, GaN(질화 갈륨) 반도체 양산 일정이 내년 하반기로 미뤄졌습니다. 이에 따라 일부 고객사와 협력 중인 제품의 양산이 1~2분기 지연되고 있습니다."

심천만 DB하이텍 상무는 19일 열린 반도체 팹리스 얼라이언스 행사에서 이같이 밝혔다.

GaN 전력 반도체는 DB하이텍의 차세대 전력 반도체 기술로, 고온 및 고전압에서 뛰어난 성능을 제공해 전기차 충전 시스템, 데이터센터, 에너지 저장 장치 등 다양한 응용처에서 수요가 높다.

GaN 기술은 특히 고속 스위칭, 고전압 환경에서 기존 실리콘(Si) 반도체를 대체하는 핵심 기술로, 전력 관리 시스템, 무선 충전, 통신기기 등 다양한 분야에서 활용될 예정이다. DB하이텍은 이를 통해 전력 반도체 포트폴리오를 확장하고, 글로벌 시장에서 경쟁력을 강화할 계획이다.

심 상무는 "개발 과정에서 웨이퍼의 기술적 도전으로 인해 일정이 지연됐으나, 고객사와의 협력을 통해 이르면 내년 하반기부터 양산이 본격화될 것"이라며 "공정을 평가하고 납품까지는 시간이 필요하다 보니, 보수적으로 내후년 초까지도 지연될 가능성은 있다. 기술적 완성도를 높이는 데 주력하고 있다"고 설명했다.

DB하이텍은 충북 음성의 상우 팹(Fab)에서 GaN 반도체 생산을 위한 핵심 장비인 MOCVD 장비를 올해 3분기 중 반입했으며, 공정 셋업을 완료한 후 내년 양산에 돌입할 예정이다. MOCVD 장비는 GaN 웨이퍼 제조에 필수적인 장비로, 이를 통해 GaN 반도체 양산이 안정적으로 이뤄질 예정이다.

양산 일정이 지연됐음에도 DB하이텍은 이를 기술적 도전으로 받아들이고 있으며, 고객 맞춤형 공정 제공을 통해 장기적으로 기술적 경쟁력을 확보하는 데 집중하고 있다.

그는 끝으로 그는 "잠재적 고객사들은 서버, 충·방전 시스템도 있고 그다음에 어댑터, 모바일 등 전반적으로 모두가 해당한다고 보면 된다"라며 준비만 되면 모든 업체가 사실은 사용할 그런 의향을 갖고 있다"라고 전했다.