반도체

SK하이닉스, 올해 투자 줄일 듯… 차세대 공정에 쿼드러플 패터닝 적용

한주엽 기자
[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스가 올해 시설투자 규모를 축소한다.

김준호 SK하이닉스 코퍼레이트총괄 부사장은 30일 진행된 2012년도 4분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 “지난해 약 3조8500억원의 투자를 집행했고, 올해 투자 계획은 아직 확정하지 못했다”라며 “지난해 대비 일정 부분 감소가 예상된다”라고 밝혔다.

김 부사장은 “전 세계 경기와 반도체 업황, 환율 변동 등을 감안해 1분기 중 투자규모를 신중하게 결정할 방침”이라며 “미세공정 전환과 연구개발(R&D) 등 중요한 투자는 이와 관계없이 1분기에도 차질 없이 집행할 예정”이라고 말했다.

SK하이닉스는 스페셜티 D램의 판매 확대 및 미세공정 제품의 비중 확대로 4분기 흑자(550억) 전환에 성공했다. 그러나 작년 연간 기준으로는 2270억원의 영업손실을 기록했다.

이 회사가 올해 투자 계획을 보수적으로 잡고 미세공정 전환 등 R&D 투자에만 집중하겠다고 밝힌 것은 허리띠를 졸라매 이익 규모를 늘리겠다는 뜻을 내비친 것으로 해석되고 있다.

일각에선 올해 SK하이닉스의 투자액 규모가 전년 대비 30~40% 감소한 2조원대에 머무를 것이라는 예상도 나오고 있다.

SK하이닉스는 “2Y나노 D램은 PC용과 모바일용으로 동시 개발하고 있다”라며 “하반기에는 양산이 가능할 것”이라고 밝혔다. 통상 미세공정 전환 시 PC용이 먼저 개발되고 모바일용 제품이 조금 더 늦게 시장에 나왔지만, 수익성 증대를 위해 이처럼 동시 개발 작업에 돌입했다고 회사 측은 설명했다.

낸드플래시의 경우 1X(16나노 전후) 제품을 2분기 양산을 시작하고 3D 낸드플래시는 하반기 개발 완료 및 내년 초 양산을 시작한다고 회사 측은 밝혔다.

한편 박성욱 SK하이닉스 최고기술책임자(CTO) 부사장은 “EUV 장비의 성능 개선 지연으로 2Y D램, 1X 낸드플래시에선 (기존 이머전 노광 장비를 활용한) 쿼드러플(4번) 패터닝 방식을 적용할 것”이라고 밝혔다. 그러나 이러한 다중 패터닝 공정을 활용할 경우 생산성 저하 및 재료비 증가로 미세 공정 전환에 따른 원가절감 효과가 일부 감소한다는 단점이 있다

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr
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