[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스는 일본 도시바와 나노임프린트 리소그래피(NanoImprint Lithography, NIL) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 5일 밝혔다. 양사는 지난 12월 이건에 대한 양해각서(MOU)를 체결한 바 있으며 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이다. 2017년께 실제 제품에 적용될 예정이다.

NIL은 2003년 국제반도체기술로드맵(International Technology Roadmap for Semiconductor, ITRS)에 32나노 이하의 선폭을 실현 할 수 있는 새로운 방법으로 소개된 기술로 나노패턴이 각인된 스탬프를 사용해 마치 도장을 찍듯 기판 상에 나노패턴을 전사하는 공정 방식을 의미한다. 액체인 UV레지스트를 기판 위에 코팅한 후 투명한 스탬프(Template)를 접촉시키고 압력을 가하면 스탬프 사이로 패턴이 형성된다. 이후 광원을 투사해 패턴을 고체화 시킬 수 있다. 저렴한 자외선(UV)를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에, ArF 이머전, 또는 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 노광장비 대비 경제적이다.

그간 반도체 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발되어 왔다. 이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 도시바와 2007년 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 STT-M램의 공동개발을 진행해 오고 있다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr