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삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현, 윤부근, 신종균)는 26일 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격 양산하기 시작했다고 밝혔다.

TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극)는 D램을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎고 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 패키징 기술을 말한다. 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.

삼성전자는 작년 8월 TSV 기술로 ‘64기가바이트 DDR4 D램 모듈’ 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한데 이어 128기가바이트 TSV D램 모듈 양산으로 D램 용량 한계를 넘어섰다. 이번 128기가바이트 TSV D램 모듈은 최고 용량뿐만 아니라 초고속, 초절전, 고신뢰성을 제공한다.

최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이루어져 있으며 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재됐다. 특히 기존보다 용량뿐 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps를 구현하면서도(최대 3,200Mbps까지 가능) 전력소비량을 50% 줄일 수 있다.

삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용해 ‘128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 연이어 양산해 TSV 풀라인업을 제공하고 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트(Gb) D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “128기가 D램 모듈 양산으로 글로벌 IT 고객이 투자 효율성을 더욱 높인 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다”며 “향후 다양한 분야의 시장 선도 고객과 기술 협력을 확대하고 글로벌 IT 시장 변화를 가속화해 소비자의 사용편리성을 높이는데 기여해 나갈 것”이라고 강조했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com