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삼성전자가 모바일 메모리 시장에서 처음으로 ‘8GB D램 시대’를 열었다. 이달부터 10나노급 16Gb(기가비트) LPDDR4 기반의 ‘8GB LPDDR4 모바일 D램’을 공급하기 시작했다. 작년 8월 20나노 12Gb LPDDR4 D램을 양산한 이후 14개월 만에 10나노급 16Gb LPDDR4 모바일 D램을 출시하게 됐다.

이 제품은 16Gb 모바일 D램 4개로 이루어져 있다. 고성능 노트북에 탑재되는 8GB DDR4와 같은 용량을 제공해 모바일 기기에서도 가상 컴퓨터 환경과 울트라HD(UHD) 영상을 더욱 빠르고 원활하게 구동할 수 있도록 했다. 특히 PC D램(4GB DDR4, 2133Mb/s)보다 2배 빠른 4266Mb/s의 읽기·쓰기 속도를 구현했으며 10나노급 설계 기술과 독자 개발한 저전력 기술을 적용, 기존 20나노급 4GB 모바일 D램보다 용량은 2배 높고 GB당 전력소비효율은 약 2배 개선됐다.

기존 모바일용 패키지(15mm×15mm) 크기(면적)에 두께 1.0mm 이하의 초슬림 솔루션으로 eUFS(embedded Universal Flash Storage)나 애플리케이션프로세서(AP) 위에 적층이 가능해 패키지 실장 면적을 줄일 수 있다.

삼성전자는 올해 글로벌 모바일 기기 고객의 플래그십 제품 출시에 맞춰 8GB 제품 공급을 확대해 10나노급 D램 생산 비중을 빠르게 높여 나갈 계획이다. 이는 스마트폰 사양, 특히 미세공정의 한계로 성능개선이 상대적으로 더딘 AP보다는 D램 용량을 개선하는 방향으로 제품을 내놓고 있기 때문이다. 특히 세계 최대 시장인 중국은 다른 지역에서 4GB 메모리를 탑재했다면 6GB나 8GB로 용량을 높여 소비자 공략에 적극적으로 나서고 있다.

이에 따라 이번에 내놓은 8GB LPDDR4 모바일 D램은 철저하게 중국 고객사를 목표로 하고 있다고 봐야 한다. 더불어 64단 적층수를 가진 3D 낸드플래시 ‘4세대 V낸드’로 이른바 ‘투트랙’ 전략을 꾀하기에도 적당하다. 4세대 V낸드는 올해 양산이 계획되어 있다. D램과 낸드플래시 용량이 빠르게 높아지고 있다는 점을 집중족으로 공략한 셈이다

한편 삼성전자는 현재 최첨단 라인에서 10나노급 공정으로 PC, 서버, 모바일용 D램을 생산하고 있으나, 향후 기존 라인에서도 10나노급 D램을 생산해 글로벌 고객의 수요 확대에 차질 없이 대응해 프리미엄 메모리 시장 성장을 주도해 나간다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “향후 듀얼 카메라, UHD, 가상현실(VR) 등 고객과 다양한 분야의 기술 협력을 강화해 최고의 메모리 솔루션을 제공할 것”이라고 강조했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com