[디지털데일리 이수환기자] SK하이닉스가 엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU)에 초고속 그래픽용 D램 ‘GDDR6’를 공급하기로 했다. AMD에도 GDDR6 공급과 관련해 적극적인 물밑작업이 이뤄지고 있는 가운데 엔비디아를 통해 먼저 치고 나간 모양새다.

3일 업계에 따르면 엔비디아는 SK하이닉스 GDDR6 채용을 결정한 것으로 전해졌다. GDDR6는 GPU에 활용되는 그래픽용 D램으로 가격이 비싼 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM)를 어느 정도 대체할 수 있는 제품이다.

기존 ‘GDDR5X’와 비교해 데이터 전송속도가 빠르고(최대 12Gbps→18Gbps) 주변 신호의 간섭으로 인해 클록이 흐트러지는 ‘크로스토크(crosstalk)’ 현상을 해결하면서 동작 전압도 10% 이상 낮춘 것이 특징이다.

엔비디아가 예상보다 빨리 SK하이닉스로부터 GDDR6 공급을 확정한 이유는 크게 두 가지로 풀이된다. 우선 수율 문제다. 삼성전자도 GDDR6 양산에 들어갔으나 수요보다 생산이 부족한 상황이다. 마이크론은 하반기나 되어야 양산을 시작할 수 있을 전망이다. 두 번째는 공급망관리(SCM) 차원의 결정이다. 엔비디아는 협력업체에 레퍼런스 디자인을 보낼 때 그래픽용 D램 이원화를 고려해왔다.

현재 SK하이닉스는 20나노(22나노)급 미세공정에서 핀(Pin)당 16Gbps의 속도로 GDDR6를 생산하고 있다. 다이(Die) 크기는 69.90㎟이다. 핀당 18Gbps의 속도, 47.9㎟의 다이 크기를 가진 삼성전자와 비교해 원가에서 상대적으로 불리한 상황이다.

이는 삼성전자가 10나노급 미세공정과 함께 시스템 클록(CK)과 이를 두 배로 높인 데이터 클록(WCK)을 모두 사용함과 동시에 클록을 4배로 높여주는 ‘쿼드 데이터 레이트(Quad Data Rate·QDR)’ 기술을 이용하기 때문이다. SK하이닉스의 경우 D램에서 10나노급 미세공정을 우선 적용한 이후 곧바로 GDDR6에 적용할 것으로 전망된다.

한편, SK하이닉스는 올해부터 고성능 HBM2 수율과 성능을 한층 끌어올리고 생산량도 늘린다는 계획이다. 하반기부터 본격 양산이 목표다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr