- 파운드리 이어 낸드 생산라인 구축…삼성 마더팩토리로 거듭

[디지털데일리 김도현기자] 삼성전자 평택캠퍼스에 최첨단 낸드플래시 라인이 마련된다. 이곳에 극자외선(EUV) 위탁생산(파운드리) 생산시설 구축한다고 발표한 지 10일 만에 추가 투자 공개다. 연이은 투자로 경기도 평택공장은 삼성 반도체의 ‘마더팩토리’로 거듭났다.

1일 삼성전자는 5월부터 평택 2공장(P2)에 낸드 생산을 위한 클린룸 공사를 착수했다고 밝혔다. 2021년 하반기 양산 예정으로 약 8조원이 투입될 전망이다.

반도체 공장은 ‘건물 설립 – 클린룸 설치 – 장비 투입 – 시제품 생산 및 테스트(시험 가동) - 고객사 납품 칩 양산’ 순으로 구축된다. 클린룸 공사가 끝나면 반도체 제조장비가 입고될 것으로 보인다. 클린룸은 천장과 바닥에 설치된 필터를 통해 미세입자를 제거하는 공간이다.

◆‘언택트 효과’ 낸드 상승세…시안·평택 투자로 대응=이번 투자는 2가지 관점으로 볼 수 있다. 표면적으로는 낸드 수요 대응 차원이다. 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등에 활용되는 낸드는 저장장치다. 데이터센터 확장에 필수 요소다. 지난해 말부터 반등하기 시작한 서버 시장은 ‘비대면(언택트)’ 생활 확산으로 탄력을 받았다. 코로나19 국면이 끝나더라도 이러한 추세는 이어질 것으로 보인다.

중국 시안 2공장 증설도 같은 맥락이다. 시안 공장은 삼성전자의 유일한 국외 메모리 생산기지다. 수직구조 낸드(V-NAND)를 양산하는 곳으로 1공장과 2공장이 있다. 1공장은 2012년 착공, 2014년 가동을 시작했다. 2공장은 2018년 증설을 시작했다. 1단계 공사를 마쳤고, 지난달 5세대(92·96단) V낸드 양산을 시작했다.

현재는 2단계 공사가 진행되고 있다. 2단계 완료 후 2공장 생산능력(CAPA, 캐파)은 웨이퍼 월 13만(130K)장 수준으로, 1공장(12만장)과 합치면 총 25만장에 달한다. 평택 낸드 라인도 캐파 확대에 힘을 보탠다.

◆최첨단 D램·낸드·파운드리를 한 곳에=내면적으로는 반도체 초격차 전략이다. 최첨단 제품 생산기지를 한곳으로 모아, 효율성을 높이겠다는 의도다. 그동안 삼성전자는 화성캠퍼스에 첨단공정을 도입해왔다. EUV 전용라인도 처음으로 들어섰다.

하지만 공간이 부족해지면서 추가 시설 확보가 어려웠다. 평택캠퍼스는 아직 여유가 있다. 이곳에는 ‘P-EUV(P3)’ 라인이 세워지고 있다. D램 전용 EUV 팹이다. 화성에서 테스트를 마쳤고, 평택에서 본격 양산한다. 업계 최초로 D램에 EUV를 적용한다. EUV는 기존 공정에서 쓰던 불화아르곤(ArF) 대비 파장이 짧다. 반도체 미세화에 유리하다.

지난달부터는 평택에 파운드리 생산시설을 준비하고 있다. EUV 장비를 들여 최첨단 제품 수요 증가에 대비할 방침이다. 같은 공간에 마련되는 낸드 라인 역시 최첨단 V낸드를 양산한다. 160단 이상 7세대 제품도 이곳에서 생산될 예정이다. D램 위주였던 평택캠퍼스가 ‘반도체 메카’로 탈바꿈하게 된 것이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 반도체 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라고 강조했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr